[实用新型]低功耗探头和超声设备有效
| 申请号： | 201921551858.1 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN211022748U | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 张勇;樊桂梅 | 申请（专利权）人： | 无锡祥生医疗科技股份有限公司 |
| 主分类号： | A61B8/00 | 分类号： | A61B8/00 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新吴区新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功耗 探头 超声 设备 | ||
1.一种低功耗探头，其特征在于，所述低功耗探头包括：透镜层、匹配层、压电层和吸声层；所述压电层包括压电阵元阵列和传感器阵元，所述压电阵元阵列包括多个呈阵列式排布的阵元，所述传感器阵元沿着所述压电阵元阵列的边缘设置，所述传感器阵元用于检测所述低功耗探头是否被使用。
2.如权利要求1所述的低功耗探头，其特征在于，所述传感器阵元位于所述压电阵元阵列的阵列中。
3.如权利要求2所述的低功耗探头，其特征在于，所述传感器阵元位于所述压电阵元阵列的最外侧n层，n的大小由所述传感器阵元的尺寸和所述压电阵元的尺寸决定。
4.如权利要求1所述的低功耗探头，其特征在于，所述传感器阵元位于所述压电阵元阵列的外围。
5.如权利要求4所述的低功耗探头，其特征在于，所述传感器阵元沿着所述压电阵元阵列的外轮廓设置，所述传感器阵元与所述压电阵元阵列的距离小于预设阈值。
6.如权利要求1所述的低功耗探头，其特征在于，所述传感器阵元为压力传感器阵元，所述传感器阵元沿着所述压电阵元阵列的任一边缘设置。
7.如权利要求1所述的低功耗探头，其特征在于，所述传感器阵元为压力传感器阵元，所述传感器阵元沿着所述压电阵元阵列的预设边缘设置，所述预设边缘为所述低功耗探头被使用时拟与被检体接触的边缘。
8.如权利要求7所述的低功耗探头，其特征在于，所述压力传感器阵元位于所述预设边缘在长度方向的中心线的位置。
9.如权利要求1所述的低功耗探头，其特征在于，所述传感器阵元为湿度传感器。
10.一种超声设备，其特征在于，所述超声设备包括如权利要求1至9任一所述的低功耗探头。
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