[实用新型]一种倒扣式霍尔集成电路陶瓷气密性封盖装置有效
申请号: | 201921560109.5 | 申请日: | 2019-09-19 |
公开(公告)号: | CN210378976U | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 沈娟;严雨宁;王君;陈财马;曹亮;杨超 | 申请(专利权)人: | 南京中旭电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L23/02;H01L27/22 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 赵艳平 |
地址: | 210000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 倒扣 霍尔 集成电路 陶瓷 气密性 装置 | ||
一种倒扣式霍尔集成电路陶瓷气密性封盖装置,包括共晶炉设备、加热底板、石墨夹具和不锈钢压块,共晶炉设备底部放置加热底板,加热底板上设有排列均匀的若干石墨夹具,每个石墨夹具的凹槽内均放置一块霍尔集成电路管壳,电路管壳上部为一个不锈钢压块;共晶炉设备设有密闭盖。密封性能稳定,封装后的检漏合格率在95%以上;采用倒扣式的封装结构不易在电路腔体内部引入金锡焊料等多余物;采用阶梯式的温度曲线进行封装,霍尔集成电路X光合格率95%以上,内部气氛含量受控。
技术领域
本实用新型涉及一种倒扣式霍尔集成电路气密性封盖装置,属于磁敏传感器制备工艺装备技术领域。
背景技术
霍尔集成电路以霍尔效应原理为工作基础,通过将许多非电、非磁的物理量例如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转数、转速等转变成电量来进行检测和控制,同时也可以对电流、电压、功率等电量进行全隔离的测量和控制。
霍尔集成电路按照功能可分为霍尔线性集成电路和霍尔开关集成电路。前者输出模拟量,后者输出数字量。霍尔线性集成电路的精度高、线性度好;霍尔开关集成电路无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高(可达μm级)、耐震动、不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等污染或腐蚀。取用了各种补偿和保护措施的霍尔集成电路的工作温度范围可达-55℃~150℃。
霍尔集成电路以其众多优点广泛应用于我国的石油勘探、海域测量以及航空、航天领域,这些领域尤其是对于航天领域,对于霍尔集成电路的可靠性和长寿命的要求非常高。
为了满足航天等领域对于霍尔集成电路的可靠性和长寿命的要求,在霍尔集成电路封装时必须采用气密性的封装结构,满足器件的气密性要求和内部气氛含量的要求。
发明内容:
本实用新型目的是,提出一种倒扣式的霍尔集成电路陶瓷气密性封盖装置,以保证霍尔集成电路的气密性和内部气氛含量的要求。
本实用新型的技术方案是:倒扣式霍尔集成电路陶瓷气密性封盖装置,包括共晶炉设备、加热底板、石墨夹具和不锈钢压块,共晶炉设备底部放置加热底板,加热底板上设有排列均匀的若干石墨夹具,每个石墨夹具的凹槽内均放置一块霍尔集成电路管壳,电路管壳上部为一个不锈钢压块;共晶炉设备设有密闭盖,并设有抽真空装置。
本实用新型的应用:先将金锡焊环盖板3放入大小合适的石墨夹具2的凹槽即石墨夹具底部,石墨夹具置于加热底板1上,将电路管壳4倒扣至盖板上方,再在霍尔集成电路管壳上方放置不锈钢压块5,最后关闭共晶炉密封箱,选择设置好的封装曲线对霍尔集成电路进行封装的形式,可以有效控制产品的内部气氛含量和多余物,提高产品的可靠性。
其中共晶炉设备为通用设备。封装时,在石墨夹具的凹槽里依次放入金锡焊环盖板、电路管壳和压块,然后锁紧共晶炉炉盖,抽真空、充氮气,设置封装曲线,将电路盖板和管壳密封焊接在一起。
本实用新型的有益效果是:本实用新型密封性能稳定,封装后的检漏合格率在95%以上;采用倒扣式的封装结构不易在电路腔体内部引入金锡焊料等多余物;采用阶梯式的温度曲线进行封装,霍尔集成电路X光合格率95%以上,内部气氛含量受控。
附图说明
图1是本实用新型结构示意图。
图2是本实用新型加热底板1、石墨夹具2布局图。
具体实施方式
现有的设备是将温控加热器安放在密封操作箱内,操作箱内充高纯氮气,但操作箱体积太大又有两个操作囗,密封性不可能做得很好,所以箱内氮气的纯度不可能保持很高,同时高纯氮气的温度也不可能加热到理想的要求。
如图所示,共晶炉设备内置有加热底板1、石墨夹具2;本实用新型技术是先将金锡焊环盖板3放入大小合适的石墨夹具2的凹槽即石墨夹具底部,石墨夹具置于加热底板1上,将电路管壳4倒扣至盖板上方,再在电路管壳上方放置不锈钢压块5,最后关闭共晶炉密封箱,选择设置好的封装曲线对霍尔集成电路进行封装,直至封装完成。封装工序全程在密封环境中进行,内部充满氮气,电路内部气氛含量和多余物得到有效控制,且由于是倒扣式封装,金锡焊料多余物不易在内部形成堆积,提高产品的合格率和长期使用的可靠性。可以有效控制产品的内部气氛含量和多余物,提高产品的可靠性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造