[实用新型]一种太阳能电池及光伏组件

说明书

本申请公开了一种太阳能电池，从前到后依次包括正表面电极、PN结、氧化铝层、金属离子隔断层、氮化硅层及背表面电极；所述金属离子隔断层用于阻隔金属离子通过。引起PID效应的重要原因就是在太阳能电池发电的过程中，电池片与组件其它结构间的电势差会引起光伏组件中的金属离子向电池片内迁移，使用一定时间后所述金属离子便会与所述太阳能电池之间形成新的载流子通道，进而扰乱电池片中正常的电流通路，表现出功率衰减、发电量降低的情况。而本申请通过在所述太阳能电池的背面增设致密的所述金属离子隔断层，阻隔外来的金属离子与太阳能电池内部的其他结构接触。本申请同时还提供了一种具有上述有益效果的太阳能电池的制作方法及光伏组件。

技术领域

本申请涉及新能源领域，特别是涉及一种太阳能电池及光伏组件。

背景技术

随着光伏发电技术的不断发展，各种新型高效的太阳能电池层出不穷。尤其随着平价上网时代的到来，如何制作更加高效稳定的电池成为光伏行业的首要任务。

其中，PID(Potential Induced Degradation)电势差引起的衰减，又叫电位诱发衰减，是现有的太阳能电池提高发电功率的一大阻碍，最早由Sunpower公司在2005年发现给N型硅电池组件加正高压，或给P型硅电池组件加负高压后，虽然外观无任何缺陷，组件的功率却发生了明显的衰减，发电量大幅度降低，这种现象被称为电位诱导衰减。PID效应会给电站造成巨大的损失，已成为行业重视问题，也是买家在购买光伏组件的时候考虑的主要质量问题之一。因此，如何提高电池片抗PID效应的效果，是目前本领域技术人员亟待解决的问题。

申请内容

本申请的目的是提供一种太阳能电池及光伏组件，以解决现有技术中的太阳能电池的抗电位诱发衰减效果较差的问题。

为解决上述技术问题，本申请提供一种太阳能电池，从前到后依次包括正表面电极、PN结、氧化铝层、金属离子隔断层、氮化硅层及背表面电极；

所述金属离子隔断层用于阻隔金属离子通过。

可选地，在所述的太阳能电池中，所述金属离子隔断层为二氧化硅层。

可选地，在所述的太阳能电池中，所述太阳能电池为PERC单面电池或PERC双面电池。

可选地，在所述的太阳能电池中，所述氧化铝层的厚度的范围为1纳米至30纳米，包括端点值。

可选地，在所述的太阳能电池中，所述二氧化硅层的厚度的范围为1纳米至40纳米，包括端点值。

可选地，在所述的太阳能电池中，当所述太阳能电池为PERC单面电池时，所述氮化硅层的厚度范围为100纳米至180纳米，包括端点值；

当所述太阳能电池为PERC双面电池时，所述氮化硅层的厚度范围为60纳米至160纳米，包括端点值。

可选地，在所述的太阳能电池中，所述氮化硅层包括多个折射单元层；

从贴近所述金属离子隔断层的一侧至远离所述金属离子隔断层的一侧，所述折射单元层的折射率依次增大。

可选地，在所述的太阳能电池中，所述折射单元层的数量的范围为2层至5层，包括端点值。

本申请还提供了一种光伏组件，所述光伏组件包括上述任一种太阳能电池。