[实用新型]电子设备有效

专利信息
申请号: 201921584072.X 申请日: 2019-09-23
公开(公告)号: CN210895161U 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: R·勒蒂克;P·加利 申请(专利权)人: 意法半导体有限公司
主分类号: G05F1/625 分类号: G05F1/625
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 李春辉
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电子设备
【说明书】:

一种电子设备包括具有输出端子的模块,该模块被配置为在所述输出端子上递送正温度系数输出电压,并且该模块包括热敏电阻器和电流源,热敏电阻器具有第一MOS晶体管,第一MOS晶体管被配置为在弱反型模式中操作,并且具有负温度系数漏极‑源极电阻,并且该第一MOS晶体管的源极耦合到所述输出端子,电流源耦合到输出端子,并且被配置为施加第一晶体管的漏极‑源极电流。

技术领域

实施例涉及电子设备,并且更具体地涉及被设计为在具有显著温度变化的环境中保持稳定性能的电子设备。

背景技术

一般而言,为了最小化温度变化的影响,电子设备包括:特定结构,诸如被设计为在温度升高时疏散热量的壳体(或封装);或者热传感器和控制模块,热传感器被配置为检测温度,控制模块被配置为基于检测到的温度来控制所述电子设备的热电活动,以增加或减少由电子设备生成的热量;或者电流源模块,其被配置为生成正温度系数(PTC)和/或负温度系数(NTC)电流,以生成对环境温度不敏感的电流;或者偏置电路,其被配置为围绕本领域技术人员已知的零温度系数(ZTC)点精确地偏置所述电子设备的某些晶体管,以使这些晶体管对环境温度不敏感。

然而,这些传统的解决方案通常需要包括多个附加复杂模块的突兀结构,以便补偿温度变化的影响,或者以便当这些晶体管制造在绝缘体上硅基底时,经由它们的背栅极充分地偏置所述某些晶体管,从而结果导致长的开发时间、高的制造成本和/或大的硅占用。

实用新型内容

因此需要一种低复杂性、低成本和低硅表面的技术解决方案,该解决方案使得可以检测电子设备的环境中的温度变化并且补偿这种变化,使得无论温度如何,都保持所述电子设备的性能稳定。

根据一个方面,一种电子设备包括电路模块,电路模块具有第一输出端子,第一输出端子被配置为递送正温度系数输出电压。电路模块包括热敏电阻器和电流源。热敏电阻器具有第一MOS晶体管,第一MOS晶体管被配置为在弱反型模式中操作,并且具有负温度系数漏极-源极电阻,并且第一MOS晶体管的源极耦合到第一输出端子。电流源具有耦合到第一输出端子的控制端子,并且被配置为施加第一MOS晶体管的漏极-源极电流。

根据一个实施例,电流源包括第二MOS晶体管,第二MOS晶体管具有耦合到第一输出端子的栅极,第二MOS晶体管被配置为在强反型模式中操作,并且具有栅极漏电流,栅极漏电流被配置为施加第一MOS晶体管的漏极-源极电流。

根据一个实施例,第一MOS晶体管和第二MOS晶体管是NMOS晶体管。

根据一个实施例,第二MOS晶体管的栅极漏电流具有与第一MOS晶体管的漏极-源极电流相同的数量级。

根据一个实施例,第二MOS晶体管的栅极氧化物的厚度小于2nm。

根据一个实施例,电路模块形成温度传感器,其中在第一输出端子处的输出电压与温度成比例地变化。

根据一个实施例,电子设备还包括负温度系数MOS晶体管,其具有耦合到第一MOS晶体管的漏极的栅极、耦合到电路模块的第二MOS晶体管的源极的源极、以及耦合到第二MOS晶体管的漏极的漏极,其中第二MOS晶体管的源极和负温度系数MOS晶体管的源极形成第二输出。

根据一个实施例,负温度系数MOS晶体管是NMOS晶体管。

根据一个实施例,第二输出生成与温度无关的输出电流。

根据一个实施例,电子设备被制造在绝缘体上硅基底上,其中第一MOS晶体管、第二MOS晶体管和负温度系数MOS晶体管中的每一者具有背栅极,并且背栅极被耦合在一起以接收共同电压。

根据一个实施例,绝缘体上硅基底是全耗尽或部分耗尽绝缘体上硅基底。

根据一个实施例,电子设备是电子装置的组件,电子装置选自由以下组成的组:蜂窝移动电话、平板计算机和膝上型计算机。

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