[实用新型]具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板

说明书

本实用新型公开了一种具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板，包含：一基板；一电极层，具有数个电极，并形成于该基板上，以定义数个像素；数个微发光二极管，个别粘着于该电极上；及一黑矩阵防散色层，以黑色负型光阻形成于该数个微发光二极管之间的间隔处，该黑矩阵防散色层构成数个像素空间，以容置该数个像素。据此达到提升像素清晰度与对比度的技术功效。

技术领域

本实用新型是关于一种微发光二极管技术，特别是关于一种具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板。

背景技术

微发光二极管显示器(Micro Light Emitting Diode Display,μLED)是一种将微发光二极管作为显示器的光发射组件的新世代显示器。此技术是将LED薄膜化、微小化、数组化至单一LED，尺寸仅在1～10μm等级，再将μLED批量式移转至电路基板上，进行表面粘着后，与电路基板上的电极与晶体管、上电极、保护层等等共同构成微发光二极管显示器所需的μLED面板。

μLED具有自发光、低功耗、响应时间快、高亮度、超高对比度、广色域、广视角、超轻薄、使用寿命长与适应各种工作温度的诸多优异特性，μLED的技术规格相较于LCD与OLED具有压倒性的优势。

然而，μLED于晶粒巨量移转并贴合至含电极的基板之后，在个别晶粒发光过程中会有侧向光与散色的问题，这两个状况均可能会导致像素不清晰、对比度降低等问题。如图1A、1B所示，其分别为已知技术μLED于晶粒巨量移转后的上视与沿A-A剖面线的剖面示意图。可以发现，μLED晶粒30-n-1，于电极20-n-1的控制下(其余的电极20-n-2、20-n-3、20-n-4、20-n-5、20-n-6等上方皆有一个μLED晶粒)进行发光，发出的光部分朝上方而构成光90-1，部分则构成侧向漏光90-2而反射至旁边的μLED晶粒30-n-2的位置，进而形成对旁边μLED晶粒30-n-2所产生的光源的干扰，进而影响其表现。反之，μLED晶粒30-n-1也会受到其旁边的μLED晶粒30-n-2的侧向光与反射光的影响。这样的侧向光的问题，会存在于所有μLED晶粒30-n-1、30-n-2、30-n-3、30-n-4、30-n-5、30-n-6上。

因此，如何适当地防止μLED在发射光的时候，降低其侧向光与散色光，借以提高μLED的清晰度与对比度，成为μLED技术发展的一个重要研发方向。

实用新型内容

为达成上述目的，本实用新型提供一种具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板，运用曝光显影制程来制作μLED之间的黑矩阵层，借以准确地制作出能填于μLED之间空隙的黑矩阵层，进而解决μLED的因漏光、反射而造成像素不清晰、对比度降低等技术问题，进而达到提升像素清晰度与对比度等特殊技术功效。

本实用新型的目的在于提供一种具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板，包含：一基板；一电极层，具有数个电极，并形成于该基板上，以定义数个像素；数个微发光二极管，个别粘着于该电极上；及一黑矩阵防散色层，以黑色负型光阻形成于该些微发光二极管之间的间隔处，该黑矩阵防散色层构成数个像素空间，以容置该数个像素。

据此可使微发光二极管显示面板达到提升像素清晰度与对比度的技术功效。

为让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举数个较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下(实施方式)。

附图说明

图1A、1B为已知技术μLED于晶粒巨量移转后的上视与沿A-A剖面线的剖面示意图。

图2A-2E为本技术方案的具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板的制作方法的一实施例的流程图与各制作阶段的剖面示意图、上视图。

图3A-3F为本技术方案的具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板的制作方法的又一实施例的流程图与各制作阶段的剖面示意图、上视图。