[实用新型]一种分立式高边驱动电路系统

说明书

本实用新型涉及高边驱动电路技术领域，具体公开了一种分立式高边驱动电路系统，该分立式高边驱动电路系统包括控制电路、驱动电路和保护电路，所述控制电路包括控制信号输入Vin、分压电阻R1、分压电阻R2、限流电阻R3和开关管Q1，所述驱动电路包括开关管Q3和防反二极管D1，所述保护电路包括开关管Q2、降低EMC电阻R4和限流反馈电阻R5。本实用新型不仅成本较低，还能够有效解决电流驱动和PCB面积的问题，同时，能够有效实现过流保护/限流保护的目的，其适用于驱动能力为中等电流能力的驱动器。

技术领域

本实用新型涉及高边驱动电路技术领域，特别涉及一种自保护的分立式高边驱动电路系统。

背景技术

在工业领域中，一个系统或设备往往集成了各种各样的小功能执行器，且所集成的数量也较多，目前实现执行器的驱动电路：一是使用多块集成芯片来构成其驱动电路，它们能完全满足执行器的驱动要求，但现有集成芯片中对于小功能(驱动能力小于200mA以内为中等电流能力)驱动器集成数目不够，为完成其功能往往被迫使用该集成芯片中的一些大电流驱动模块部分，目的是为了减小集成芯片使用数目，但这样使用会造成成本增高。二是使用芯片厂家集成好的PMOSFET、NMOSFET或IGBT，它们是能满足执行器的驱动要求，而驱动电路作为输出电路，对于短路保护/过流保护/限流的自保护功能是必须的，若芯片厂家集成此功能，价格会增加不少，若在此基础上再自行开发其过流保护/限流保护功能，PCB(印制电路板)面积将是一个问题，系统集成难度增加，其结构将相对复杂。

实用新型内容

鉴于以上内容，有必要提供一种分立式高边驱动电路系统，该分立式高边驱动电路系统即能够有效解决电流驱动和PCB面积的问题，又能够有效实现过流保护/限流保护的目的，且整体成本低。

为达到上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：

一种分立式高边驱动电路系统，包括控制电路、驱动电路和保护电路，所述控制电路包括控制信号输入Vin、分压电阻R1、分压电阻R2、限流电阻R3和开关管Q1，所述驱动电路包括开关管Q3和防反二极管D1，所述保护电路包括开关管Q2、降低EMC电阻R4和限流反馈电阻R5；

其中，所述控制电路中，所述分压电阻R1的一端连接控制信号输入Vin，另一端分别连接分压电阻R2的一端和开关管Q1的控制端，所述分压电阻R2的另一端和开关管Q1的第二端并联接地，所述开关管Q1的第一端连接限流电阻R3的一端，所述限流电阻R3的另一端分别连接驱动电路中的开关管Q3的控制端和保护电路中的开关管Q2的第一端，所述开关管Q3的第一端连接防反二极管D1的阳极，所述防反二极管D1的阴极连接输出负载Vout，所述开关管Q2的第二端分别连接电源Vcc和限流反馈电阻R5的一端，所述限流反馈电阻R5的另一端分别连接开关管Q3的第二端和降低EMC电阻R4的一端，所述降低EMC电阻R4的另一端连接开关管Q2的控制端。

优选的，所述分压电阻R1和分压电阻R2的阻值相同。

优选的，所述防反二极管D1为肖特基二极管。

优选的，所述限流反馈电阻R5的阻值等于开关管Q2的开启电压Uon/电流阈值，其中，所述电流阈值为分立式高边驱动电路系统的电流阈值。

优选的，所述开关管Q1为NPN三极管或者MOS场效应晶体管，所述开关管Q2、开关管Q3均为PNP三极管或者MOS场效应晶体管。

优选的，所述开关管Q1为NPN三极管，所述开关管Q2、开关管Q3均为PNP三极管，此时，NPN三极管或者PNP三极管中的基极为上文所说的控制端，集电极为第一端，发射极为第二端。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：