[实用新型]一种晶片自动腐蚀喷淋设备有效
申请号: | 201921609170.4 | 申请日: | 2019-09-25 |
公开(公告)号: | CN210403671U | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 周铁军;罗爱斌;严卫东;彭家焕;宾启雄;黄韶斌;卿德武;钟爱华 | 申请(专利权)人: | 广东先导先进材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 颜希文;宋亚楠 |
地址: | 511517 广东省清*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶片 自动 腐蚀 喷淋 设备 | ||
本实用新型涉及晶片生产技术领域,尤其涉及一种晶片自动腐蚀喷淋设备,包括控制器、工作箱、晶片固定架以及与控制器电连接的药液泵组、冲刷装置和冲洗装置,晶片固定架设置于工作箱内用于固定放入工作箱中的晶片,药液泵组与工作箱连接用于向工作箱内泵送药液,工作箱开设有排液口用于排出药液,冲刷装置安装于工作箱用于使工作箱的药液流动形成药液流冲刷晶片,冲洗装置安装于工作箱用于向晶片喷淋冲洗液清洗晶片。一方面,避免药液对工人身体造成伤害,同时降低人工投入,另一方面,避免人工操作造成的质量稳定性较差的问题,提高产品的一致性,同时提高晶片生产的自动化程度,提高生产效率。
技术领域
本实用新型涉及晶片生产技术领域,尤其涉及一种晶片自动腐蚀喷淋设备。
背景技术
现有技术中,晶片研磨后需要通过腐蚀液腐蚀,主要目的是消除晶片表面的残余应力,降低损伤层厚度,为下一步抛光做好准备。
现有操作的流程均是通过人工将放置有若干数量晶片的卡塞盒放置到装满腐蚀液的箱体中,操作人员使腐蚀液浸没晶片,并将卡塞盒呈水平向下45°角上下摆动约30°角,需重复约4分钟,且完成腐蚀后,需从腐蚀液中取出立即用冲洗液冲洗卡塞盒的晶片外周1分钟,上述腐蚀和冲洗的动作需重复多次,由于目前人工操作晶片腐蚀过程,存在的主要问题有:
1、操作时间长,单次腐蚀循环操作需20分钟,人员容易疲劳,批量生产耗时耗力;
2、腐蚀液具有腐蚀性,人工操作对工人的身体具有一定的危害风险;
3、人工操作由于主观差异以及不同工人的熟练程度不同,操作过程的精确度较低,导致晶片生产质量的一致性较差,质检合格率波动较大,造成废品率较高。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供有助于实现晶片腐蚀自动化,降低人工投入,保障工人健康,提高产品生产质量的一种晶片自动腐蚀喷淋设备。
为了实现上述目的,本实用新型提供一种晶片自动腐蚀喷淋设备,包括控制器、工作箱、晶片固定架以及与控制器电连接的药液泵组、冲刷装置和冲洗装置,所述晶片固定架设置于工作箱内用于固定放入工作箱中的晶片,所述药液泵组与工作箱连接用于向工作箱内泵送药液,所述工作箱开设有排液口用于排出药液,所述冲刷装置安装于工作箱用于使工作箱的药液流动形成药液流冲刷晶片,所述冲洗装置安装于工作箱用于向晶片喷淋冲洗液清洗晶片。
可选的,所述冲刷装置包括一端开口的喷淋管和用于向喷淋管输送药液或冲洗液的冲刷泵组,所述喷淋管沿圆周方向开设有若干喷淋口,所述喷淋口沿喷淋管轴向方向延伸,所述冲刷泵组连接有输液管,所述喷淋管与输液管连通且转动连接。
可选的,所述冲刷泵组的进液端连接于工作箱内,所述冲刷泵组的出液端通过输液管与喷淋管连通。
可选的,所述喷淋口沿喷淋管径向方向向外呈弧形设置。
可选的,所述冲刷装置还包括导液管,所述导液管与输液管连通,所述导液管从喷淋管的开口端套入喷淋管并与喷淋管之间形成喷淋间隙,所述喷淋管设有内腔,所述内腔与导液管开口端相对的一侧壁设有用于受到冲击带动喷淋管转动的驱动部,所述导液管、内腔、喷淋间隙与喷淋口依次连通。
可选的,所述内腔安装有稳定架,所述稳定架设有导流斜面,用于使导液管中喷出的液体撞击内腔的内壁后反射时通过导流斜面向内腔四周扩散。
可选的,所述稳定架设有锥形套管,所述锥形套管的外侧面形成所述导流斜面,所述导液管的出液端内置于锥形套管内。
可选的,所述冲刷装置还包括用于驱动喷淋管周向转动的驱动机构。
可选的,所述驱动机构包括第一吸附件、第二吸附件、摆动磁体和电源,所述第一吸附件和第二吸附件分别设置于摆动磁体的两端,所述摆动磁体与喷淋管固定连接且绕喷淋管轴线摆动,所述电源分别与第一吸附件和第二吸附件电连接,所述控制器与电源通讯连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造