[实用新型]一种推挽式脉冲放大器调制电路

说明书

本实用新型公开了一种推挽式脉冲放大器调制电路，包括推挽式MOSFET放大器；用于驱动推挽式MOSFET放大器的MOSFET驱动器；连接在推挽式MOSFET放大器与MOSFET驱动器之间以避免推挽式MOSFET放大器中两个功率开关管同时打开的开关管控制电路。其可在脉冲放大器的关电过程中为滤波电容提供快速放电通路，减小了脉冲放大器的关电时间，将上升沿、下降沿均控制在50ns以内，明显减小了脉冲体制雷达的盲距。

技术领域

本实用新型涉及放大器脉冲调制电路领域，更具体的说是涉及一种推挽式脉冲放大器调制电路。

背景技术

雷达通常有两种基本类型：连续波雷达和脉冲雷达。脉冲雷达间歇式发射脉冲周期信号，并且在发射间隔接收反射的回波信号，即收发间隔进行。脉冲体制雷达中脉冲放大器漏极供电相当关键，脉冲放大器工作一段时间后，漏极供电线路上的滤波电容上积累了大量电荷。现有的脉冲放大器采用单个MOSFET的脉冲调制电路，其存在以下缺陷：滤波电容无法快速放电，导致了脉冲放大器的关电时间很长，其上升沿、下降沿一般在100ns左右，导致脉冲雷达的盲距增大。

实用新型内容

本实用新型为了解决上述技术问题提供一种推挽式脉冲放大器调制电路。

本实用新型通过下述技术方案实现：

一种推挽式脉冲放大器调制电路，包括：

推挽式MOSFET，包括PMOS管和NMOS管；

用于驱动推挽式MOSFET的MOSFET驱动器；

连接在推挽式MOSFET与MOSFET驱动器之间以避免推挽式MOSFET中的PMOS管和NMOS管同时打开的开关管控制电路。

本方案的放大器脉冲调制电路采用推挽式结构，且采用开关管控制电路控制推挽式MOSFET中两个开关管的状态，避免两个功率开关管同时打开，造成外部输入电源直接到地。采用本方案的推挽式脉冲放大器调制电路，可在脉冲放大器的关电过程中为滤波电容提供快速放电通路，减小了脉冲放大器的关电时间，将上升沿、下降沿均控制在50ns以内，明显减小了脉冲体制雷达的盲距。

作为优选，开关管控制电路包括连接在MOSFET驱动器输出端和推挽式MOSFET中NMOS管栅极之间的第一控制支路、连接在MOSFET驱动器输出端和推挽式MOSFET中NMOS管栅极之间的第二控制支路，所述第一控制支路、第二控制支路包括相并联的二极管和电阻，所述第一控制支路、第二控制支路的二极管导通方向不同。采用电阻和二极管并联的技术实现MOSFET管的通断控制，第一控制支路、第二控制支路的二极管导通方向不同，根据外部的TTL信号，可避免两个功率开关管即MOSFET管同时打开，避免外部输入电源直接到地。

作为优选，所述推挽式MOSFET 的PMOS管的源极与输入电源端连接且栅极与输入电源端连接有第二电阻，所述输入电源端连接有接地电容，所述NMOS管的源极均接地。

进一步的，为了缩小电路体积，所述PMOS管和NMOS管采用芯片Si5504。采用芯片Si5504实现推挽结构，其电路结构简单，缩小电路所占面积。

本实用新型与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：

1、本实用新型的推挽式脉冲放大器调制电路，可在脉冲放大器的关电过程中为滤波电容提供快速放电通路，减小了脉冲放大器的关电时间，将上升沿、下降沿均控制在50ns以内，明显减小了脉冲体制雷达的盲距。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本实用新型实施例的限定。

图1为本方案的原理图。

图2为本方案的MOSFET驱动电路及开关管控制电路的电路原理图。