[实用新型]用于多晶硅还原炉的导流装置及具有其的还原炉有效
| 申请号： | 201921613616.0 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN210825445U | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 杜俊平;张鹏远;张超 | 申请（专利权）人： | 洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 471023 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 多晶 还原 导流 装置 具有 | ||
1.一种用于多晶硅还原炉的导流装置，其特征在于，所述还原炉具有进气口、出气口以及底盘，所述出气口形成在所述还原炉的底盘中心，所述导流装置包括：
导流罩，所述导流罩的顶部封闭以阻止气流垂直进入所述底盘而造成还原炉内气体湍流；
支撑件，所述支撑件沿竖向延伸，所述支撑件的上端与所述导流罩相连且下端与所述底盘相连；
其中，所述支撑件上形成有连通所述出气口的过气部。
2.根据权利要求1所述的用于多晶硅还原炉的导流装置，其特征在于，所述导流罩被构造成方形、椭圆形或半球形。
3.根据权利要求1所述的用于多晶硅还原炉的导流装置，其特征在于，所述过气部被构造成过气孔。
4.根据权利要求3所述的用于多晶硅还原炉的导流装置，其特征在于，所述过气孔被构造成圆形、椭圆形或多边形。
5.根据权利要求3所述的用于多晶硅还原炉的导流装置，其特征在于，所述支撑件被构造成支撑柱，所述支撑柱包括多个，多个支撑柱在所述导流罩的底部间隔开设置，相邻两个所述支撑柱之间限定出所述过气孔。
6.根据权利要求3所述的用于多晶硅还原炉的导流装置，其特征在于，所述支撑件被构造成支撑板，所述支撑板包括多个，多个支撑板在所述导流罩的底部间隔开设置，相邻两个所述支撑板之间限定出所述过气孔。
7.根据权利要求3所述的用于多晶硅还原炉的导流装置，其特征在于，所述支撑件被构造成支撑环，所述支撑环上形成有所述过气孔。
8.根据权利要求1所述的用于多晶硅还原炉的导流装置，其特征在于，所述导流装置为耐腐蚀耐高温材料件。
9.根据权利要求8所述的用于多晶硅还原炉的导流装置，其特征在于，所述导流装置为合金钢材料件。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的用于多晶硅还原炉的导流装置，其特征在于，所述过气部的开口面积不小于所述出气口的面积。
11.一种还原炉，其特征在于，包括根据权利要求1-10中任一项所述的用于多晶硅还原炉的导流装置。
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