[实用新型]一种新型LED外延片有效
| 申请号： | 201921614038.2 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN211957672U | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 宁如光;张银桥;潘彬;王向武 | 申请（专利权）人： | 南昌凯迅光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/30 |
| 代理公司： | 南昌大牛知识产权代理事务所(普通合伙) 36135 | 代理人： | 喻莎 |
| 地址： | 330100 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 led 外延 | ||
1.一种新型LED外延片，包括GaAs衬底(100)，其特征在于：所述GaAs衬底(100)上依次设有缓冲层(101)、AlGaAs/AlAs(DBR)反射层(102)、n-AlInP限制层(103)、n-AlGaInP波导层(104)、复合MQW有源层(105)、p-AlGaInP波导层(106)、p-AlInP限制层(107)和p-GaP电流扩展层(108)，所述MQW有源层(105)包括15层阱(105-1)、15层垒Ⅰ(105-2)和15层垒Ⅱ(105-3)。
2.根据权利要求1所述的一种新型LED外延片，其特征在于：所述缓冲层(101)厚度为0.5μm，所述AlGaAs/AlAs(DBR)反射层(102)厚度为1.6μm，所述n-AlInP限制层(103)厚度为0.5μm，所述n-AlGaInP波导层(104)厚度为0.1μm。
3.根据权利要求1所述的一种新型LED外延片，其特征在于：所述MQW有源层(105)厚度为300nm，每一层阱(105-1)的厚度均为10nm，每一层垒Ⅰ(105-2)和垒Ⅱ(105-3)的厚度均为5nm。
4.根据权利要求1所述的一种新型LED外延片，其特征在于：所述p-AlGaInP波导层(106)厚度0.1μm，所述p-AlInP限制层(107)厚度为0.8μm，所述p-GaP电流扩展层(108)厚度为5μm。
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