[实用新型]基于平面S型结的耐高压元件有效

申请号：	201921614311.1	申请日：	2019-09-25
公开（公告）号：	CN210866180U	公开（公告）日：	2020-06-26
发明（设计）人：	潘旭捷;曲迪	申请（专利权）人：	华慧高芯科技(深圳)有限公司
主分类号：	H01L29/06	分类号：	H01L29/06;H01L29/47;H01L29/861;H01L29/872;H01L21/329
代理公司：	天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101	代理人：	蒙建军
地址：	518052 广东省深圳市南山***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	基于平面高压元件
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【权利要求书】：

1.一种基于平面S型结的耐高压元件，其特征在于：至少包括：

单晶硅片(1013)，所述单晶硅片(1013)的厚度范围是400～600um；

位于单晶硅片(1013)上侧的第二导电类型轻掺层(1022)；所述第二导电类型轻掺层(1022)包括M条相互平行的导电类型轻掺层，所述导电类型轻掺层为条形结构，其中：第N条导电类型轻掺层的尾部与第N+1条导电类型轻掺层的尾部连通；第N+1条导电类型轻掺层的头部与第N+2条导电类型轻掺层的头部连通；M为大于2的自然数，N为奇数；N小于M；每条导电类型轻掺层的两侧为第一绝缘层(1011)；

位于第二导电类型轻掺层(1022)一端的第一导电类型重掺杂层(1021)；

位于第二导电类型轻掺层(1022)另一端的第二导电类型重掺层(1023)；

与所述第一导电类型重掺杂层(1021)连接的第一电极；

与所述第二导电类型重掺层(1023)连接的第二电极；所述第二导电类型轻掺层(1022)、第一绝缘层(1011)、第一导电类型重掺杂层(1021)和第二导电类型重掺层(1023)位于同一平面内；所述第一电极平行于上述导电类型轻掺层；所述第二电极平行于上述导电类型轻掺层；

位于所述平面上的第二绝缘层(1012)。

2.根据权利要求1所述基于平面S型结的耐高压元件，其特征在于：

上述第一导电类型重掺杂层(1021)为P型或N型或肖特基金属层。

3.根据权利要求1所述基于平面S型结的耐高压元件，其特征在于：

上述第二导电类型重掺层(1023)为P型或N型或肖特基金属层。

4.根据权利要求1所述基于平面S型结的耐高压元件，其特征在于：

所述第二导电类型轻掺层(1022)为P型或N型。

5.根据权利要求1所述基于平面S型结的耐高压元件，其特征在于：