[实用新型]用于在抛光或研磨期间保持半导体晶片的托架有效
申请号: | 201921614935.3 | 申请日: | 2019-09-26 |
公开(公告)号: | CN211376616U | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | H·瓦尔特;S·沃尔夫冈;Z·弗朗茨 | 申请(专利权)人: | 硅电子股份公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 李振东;过晓东 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 抛光 研磨 期间 保持 半导体 晶片 托架 | ||
1.用于在抛光或研磨期间保持半导体晶片的托架,其能够用于对半导体晶片在两面上同时以去除材料的方式进行机械加工,其特征在于,所述托架的表面包含至少20%所述托架的基体区域,12至30%第一凹槽的区域,及35%至少一个用于接收半导体晶片的第二凹槽的区域,所述托架的厚度d为不小于0.7mm且不大于1.3mm,并且至少第二凹槽被具有包含至少50个燕尾形区段的轮廓的内表面A限界。
2.根据权利要求1所述的托架,其特征在于,所述燕尾形区段的开口角为不小于80°且不大于100°。
3.根据权利要求1所述的托架,其特征在于,所述燕尾形区段的开口角为不小于85°且不大于95°。
4.根据权利要求1至3之一所述的托架,其特征在于,所述燕尾形区段的高度h为不小于0.5mm且不大于2mm。
5.根据权利要求1至3之一所述的托架,其特征在于,所述燕尾形区段的数量为不小于100且不大于150。
6.根据权利要求1至3之一所述的托架,其特征在于,所述燕尾形区段的数量为不小于110且不大于130。
7.根据权利要求1至3之一所述的托架,其特征在于,所述燕尾形区段的宽度b为不小于4mm且不大于10mm。
8.根据权利要求1至3之一所述的托架,其特征在于,所述燕尾形区段的垂直边缘是以不小于0.2mm且不大于0.4mm的半径r倒圆的。
9.根据权利要求1至3之一所述的托架,其特征在于,所述内表面内衬有利用所述燕尾形区段与所述托架互相联锁的塑料环。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造