[实用新型]GIL设备单元特高频信号衰减量测试平台

权利要求书

1.GIL设备单元特高频信号衰减量测试平台，其特征在于：包括若干形态试验单元、特高脉冲信号发生器和局部放电监测系统；所述形态试验单元包括第一直筒I型形态试验单元、L型形态试验单元、T型形态试验单元、第二直筒I型形态试验单元；所述第一直筒I型形态试验单元、L型形态试验单元、T型形态试验单元三个形态试验单元中，每个形态试验单元包括3个GIL单元，分别为依次连接的第一GIL单元、第二GIL单元和第三GIL单元；每个GIL单元包括母线筒、GIL导电杆、三支柱绝缘子和触头座配件，所述GIL导电杆位于所述母线筒内，所述三支柱绝缘子安装在所述GIL导电杆上，所述GIL导电杆一端安装有触头座配件，GIL导电杆另一端的端部安装在相邻的触头座配件上；所述第一GIL单元中的母线筒外壳设置有第一内置式特高频局部放电传感器和第二内置式特高频局部放电传感器，所述第一内置式特高频局部放电传感器与所述特高脉冲信号发生器连接作为信号注入源；所述第二GIL单元中的母线筒外壳设置有第三内置式特高频局部放电传感器；所述第三GIL单元中的母线筒外壳设置有第四内置式特高频局部放电传感器；所述第二直筒I型形态试验单元包括母线筒和设置在母线筒外壳的第五内置式特高频局部放电传感器；本测试平台的特高脉冲信号发生器按需先后接入形态试验单元的所述第一内置式特高频局部放电传感器或所述第五内置式特高频局部放电传感器，通过所述局部放电监测系统记录各形态试验单元的内置式特高频局部放电传感器的输出响应并保存图谱信息。

2.根据权利要求1所述的GIL设备单元特高频信号衰减量测试平台，其特征在于：所述第一直筒I型形态试验单元中，所述第二GIL单元与所述第三GIL单元之间通过母线筒的法兰处设置有盆式绝缘子。

3.根据权利要求1所述的GIL设备单元特高频信号衰减量测试平台，其特征在于：所述L型形态试验单元还包括转角单元，所述转角单元内部设有L型导电杆及触头座配件，所述转角单元安装于所述第一GIL单元与所述第二GIL单元之间；所述L型导电杆一端通过所述触头座配件与所述第一GIL单元中的GIL导电杆相接，所述L型导电杆另一端通过所述触头座配件与所述第二GIL单元中的GIL导电杆相接。

4.根据权利要求1所述的GIL设备单元特高频信号衰减量测试平台，其特征在于：所述T型形态试验单元还包括三通单元，所述三通单元内部设有T型导电杆及触头座配件，所述三通单元的三个端口分别与所述第一GIL单元、所述第二GIL单元、所述第三GIL单元相连；所述T型导电杆的三端分别通过所述触头座配件与三个GIL导电杆相接。

5.根据权利要求1所述的GIL设备单元特高频信号衰减量测试平台，其特征在于：所述第二直筒I型形态试验单元的长度大于36m，并且小于60m。