[实用新型]一种低温漂带隙基准电压源电路

说明书

本实用新型提供了一种低温漂带隙基准电压源电路，该低温漂带隙基准电压源电路包括电压输出电路、电压信号产生电路、及斩波放大器；其中：电压输出电路与电压信号产生电路电连接，为电压信号产生电路提供工作电压，电压信号产生电路为所述斩波放大器提供高频的差分信号；斩波放大器将该高频的差分信号及斩波放大器的失配电压放大后进行斩波调制处理，去除失配电压，为电压输出电路提供稳定的增益，以使电压输出电路输出带隙基准电压。本实用新型的低温漂带隙基准电源消除了放大器、PNP对的失配及其闪烁噪声的影响，在温度稳定性和消除低频噪声性能方面进行了改进。

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，特别涉及一种低温漂带隙基准电压源电路。

背景技术

目前，基准电压源已作为半导体集成电路中不可缺少的基本模块，其广泛用于放大器、模数转换器、数模转换器、射频、传感器和电源管理芯片中。传统的基准电压源包括基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、基于PN结正向导通特性的电压基准和带隙基准等多种实现方式，其中，由于带隙基准具有结构简单、电压稳定等优点，因此，得到了广泛应用。

随着半导体技术和便携式电子产品的发展，对低功耗、高电源电压范围的基准电压源的需求大大增加，也导致带隙基准的设计要求有很大的提高。带隙基准可以产生与电源电压及工艺无关、具有稳定温度特性的基准电压。带隙基准的稳定性对整个系统的内部电源的产生，输出电压的调整等都具有直接且至关重要的影响。带隙基准电压必须能够克服制造工艺的偏差，系统内部电源电压在工作范围内的变化以及外界温度的影响。随着系统精度的提高，对基准的温度、电压和工艺的稳定性的要求也越来越高。

图2示出了一种传统的带隙基准电压源，该传统的带隙基准电压源的精度明显受到双极性晶体管的精度、温度特性、三极管失配和低频噪声(闪烁噪声)的严重影响。此外，较小的芯片封装还会导致更高的封装应力，从而产生更大的电压温度漂移。因此，传统的带隙基准电压源很难达到现今集成电路或芯片的性能的要求。

实用新型内容

为了解决上述至少一个技术问题，本实用新型提供了一种低温漂带隙基准电压源电路，具体的，本实用新型提供的低温漂带隙基准电压源电路包括：电压输出电路、电压信号产生电路、及斩波放大器；其中，所述电压输出电路与所述电压信号产生电路电连接，为所述电压信号产生电路提供工作电压，还可提供所需温度信号的放大。所述电压信号产生电路为所述斩波放大器提供高频的差分信号；所述斩波放大器将所述高频的差分信号及所述斩波放大器的失配电压放大后进行斩波调制处理，去除所述失配电压，为所述电压输出电路提供稳定的增益，以使所述电压输出电路输出带隙基准电压。

在一个实施方式中，所述电压输出电路包括：NMOS管M1、及电阻R3；所述NMOS管M1的栅极与所述斩波放大器的输出端电连接，所述NMOS管M1的漏极与外接电源电连接，所述NMOS管M1的源极与所述电阻R3电连接，且所述NMOS管M1的源极作为所述低温漂带隙基准电压源电路的输出端，输出带隙基准电压。

当然，上述实施方式中的NMOS管也可以采用PMOS管代替，具体的，所述电压输出电路包括：PMOS管M2、及电阻R3；所述PMOS管M2的栅极与所述斩波放大器的输出端电连接，所述PMOS管M2的源极与外接电源电连接，所述PMOS管M2的漏极与所述电阻R3电连接，且所述PMOS管的漏极作为所述低温漂带隙基准电压源电路的输出端，输出带隙基准电压。

在一个实施方式中，所述电压信号产生电路包括调制开关单元、第一电阻电路、第二电阻电路、三极管Q5及三极管Q6；所述第一电阻电路与所述第二电阻电路电连接，且所述第一电阻电路与所述第二电阻电路电连接的第一公共端点与所述三极管Q5的发射极电连接，所述第一电阻电路与所述第二电阻电路电连接的第二公共端点与所述三极管Q6的发射极电连接，所述三极管Q5的基极及其集电极电连接至地；所述三极管Q6的基极及其集电极电连接至地；所述第一电阻电路与所述调制开关单元的一个开关电连接，所述第二电阻电路与所述调制开关单元的另一开关电连接。