[实用新型]基于平面螺型结的耐高压元件有效
| 申请号： | 201921625029.3 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN210467849U | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 曲迪;明辰;白国人;王磊;李康;陈景春 | 申请（专利权）人： | 天津华慧芯科技集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/265;H01L21/22 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 蒙建军 |
| 地址： | 300467 天津市滨海新区生态城*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 平面 螺型结 高压 元件 | ||
1.一种基于平面螺型结的耐高压元件，其特征在于：至少包括：
单晶硅片(1013)，所述单晶硅片的厚度范围是400um～600um；
位于单晶硅片(1013)上表面的第二导电类型轻掺层(1022)和第一绝缘层(1011)；所述第二导电类型轻掺层(1022)成螺旋结构；所述第一绝缘层(1011)位于第二导电类型轻掺层(1022)的两侧；
位于第二导电类型轻掺层(1022)一端的第一导电类型重掺杂层(1021)；
位于第二导电类型轻掺层(1022)另一端的第二导电类型重掺层(1023)；
与所述第一导电类型重掺杂层(1021)连通的第一电极；
与所述第二导电类型重掺层(1023)连通的第二电极；所述第二导电类型轻掺层(1022)、第一绝缘层(1011)、第一导电类型重掺杂层(1021)和第二导电类型重掺层(1023)位于同一平面内；所述第一电极垂直于上述平面；所述第二电极垂直于上述平面；
位于所述平面上的第二绝缘层(1012)。
2.根据权利要求1所述基于平面螺型结的耐高压元件，其特征在于：
上述第一导电类型重掺杂层(1021)为P型或N型或肖特基金属层。
3.根据权利要求1所述基于平面螺型结的耐高压元件，其特征在于：
上述第二导电类型重掺层(1023)为P型或N型或肖特基金属层。
4.根据权利要求1所述基于平面螺型结的耐高压元件，其特征在于：
所述第二导电类型轻掺层(1022)为P型或N型。
5.根据权利要求1所述基于平面螺型结的耐高压元件，其特征在于：
上述第一电极和/或第二电极为Al或Ti或Ni或Ag或Cu或Au或W或多个组合。
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