[实用新型]一种基于磁光介质与PT对称结构的多通道信号选择器有效
申请号: | 201921634905.9 | 申请日: | 2019-09-27 |
公开(公告)号: | CN210428000U | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 张晓萌;余观夏;朱剑刚;梅长彤;赵莉 | 申请(专利权)人: | 南京林业大学 |
主分类号: | G02F1/095 | 分类号: | G02F1/095;G02F1/017;G02B6/122 |
代理公司: | 南京思拓知识产权代理事务所(普通合伙) 32288 | 代理人: | 苗建 |
地址: | 210037 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 介质 pt 对称 结构 通道 信号 选择器 | ||
1.一种基于磁光介质与PT对称结构的多通道信号选择器,包括介质基板和设置在所述的介质基板上的介质柱阵列,其特征在于,所述的介质柱阵列包括第一阵列(1)、第二阵列(2)、第三阵列(3)、第四阵列(4)、第五阵列(5)、第六阵列(6)和第七阵列(7),所述的第一阵列(1)和第三阵列(3)对称地设置在所述的介质基板的两端,所述的第二阵列(2)设置在所述的第一阵列(1)和第三阵列(3)之间,所述的第四阵列(4)和第五阵列(5)设置在所述的第一阵列(1)与第二阵列(2)之间,所述的第四阵列(4)和第五阵列(5)之间设有第一通道(8),所述的第六阵列(6)和第七阵列(7)设置在所述的第二阵列(2)与第三阵列(3)之间,所述的第六阵列(6)和第七阵列(7)之间设有第二通道(9),第四阵列(4)和第五阵列(5)、第六阵列(6)和第七阵列(7)分别组成宇称-时间对称结构,所述的第一阵列(1)、第二阵列(2)和第三阵列(3)为正方晶格结构,所述的第四阵列(4)、第五阵列(5)、第六阵列(6)和第七阵列(7)为单排结构。
2.根据权利要求1所述的基于磁光介质与PT对称结构的多通道信号选择器,其特征在于,所述的正方晶格结构的晶格常数为a,其中介质柱的半径为0.125a;所述的单排结构的介质柱间距为a,其中介质柱的半径为0.24a;所述的第一通道(8)和第二通道(9)的宽度均为1.5a。
3.根据权利要求2所述的基于磁光介质与PT对称结构的多通道信号选择器,其特征在于,a为100nm。
4.根据权利要求1所述的基于磁光介质与PT对称结构的多通道信号选择器,其特征在于,第一阵列(1)、第二阵列(2)和第三阵列(3)均由磁光子晶体圆柱组成。
5.根据权利要求4所述的基于磁光介质与PT对称结构的多通道信号选择器,其特征在于,所述的磁光子晶体圆柱为铁氧体钇铁石榴石,在外加磁场下其相对介电常数为15ε0,ε0为真空介电常数,相对磁导率为张量形式,μ1=14,μ2=12.4,i是虚数单位。
6.根据权利要求1所述的基于磁光介质与PT对称结构的多通道信号选择器,其特征在于,第四阵列(4)和第六阵列(6)均由loss圆柱组成,第五阵列(5)和第七阵列(7)均由gain圆柱组成,所述的loss圆柱对入射光产生衰减作用,所述的gain圆柱对入射光产生增益作用。
7.根据权利要求6所述的基于磁光介质与PT对称结构的多通道信号选择器,其特征在于,所述的loss圆柱和gain圆柱的材质为InGaAsP量子阱半导体。
8.根据权利要求6或7所述的基于磁光介质与PT对称结构的多通道信号选择器,其特征在于,所述的loss圆柱的相对介电常数ε2=9ε0+0.5i,所述的gain圆柱的相对介电常数ε2=9ε0-0.5i,i为虚数单位,ε0为真空介电常数,loss圆柱和gain圆柱的相对磁导率为1。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京林业大学,未经南京林业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921634905.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多功能台灯
- 下一篇:一种4进1 KVM多电脑控制器