[实用新型]一种降低加热块温度差的装置有效
| 申请号： | 201921635543.5 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN210245469U | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 李辉 | 申请（专利权）人： | 无锡通芝微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/607 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 聂启新 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市高新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 加热 温度 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低加热块温度差的装置，包括下垫片(1)，其特征在于：所述下垫片(1)的顶部设置有上加热片(2)，所述上加热片(2)的顶部中心处设置有加热凸起(3)，所述加热凸起(3)上呈方形排列有若干个成型槽(4)，所述成型槽(4)的底部中心处开设有真空吸孔(11)，所述成型槽(4)的底部对应两侧位于真空吸孔(11)的两端分别开设有第一出气口(8)和第二出气口(9)，所述上加热片(2)的一端分别安装有第一进气口(5)和第二进气口(6)，所述第一出气口(8)通过第一气体通道(7)与第一进气口(5)连通，所述第二出气口(9)通过第二气体通道(10)与第二出气口(9)连通。
2.根据权利要求1所述的一种降低加热块温度差的装置，其特征在于：所述下垫片(1)为一种金属铜材料构件，所述上加热片(2)为一种工具钢材料构件。
3.根据权利要求1所述的一种降低加热块温度差的装置，其特征在于：所述第一气体通道(7)和第二气体通道(10)位于上加热片(2)的内部。
4.根据权利要求1所述的一种降低加热块温度差的装置，其特征在于：所述加热凸起(3)的顶面成形为平面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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