[实用新型]一种嵌入式光栅结构窄带近红外热电子光电探测器

权利要求书

1.一种嵌入式光栅结构窄带近红外热电子光电探测器，其特征在于，

包含硅基底、钛薄膜层、金光栅、金平板、顶部导电电极、底部导电电极；所述钛薄膜层和金光栅依次设于所述硅基底上；所述底部导电电极连接于硅基底，所述金光栅固定连接在金平板上；所述顶部导电电极连接于金平板；

所述钛薄膜层作为粘附层连接硅基底和金光栅；

所述金光栅嵌入于所述硅基底中。

2.根据权利要求1所述的嵌入式光栅结构窄带近红外热电子光电探测器，其特征在于，所述金光栅和替换为：金氮化物、金氧化物。

3.根据权利要求1所述的嵌入式光栅结构窄带近红外热电子光电探测器，其特征在于，所述硅基底背面的底部导电电极为铟、铝中的一种。

4.根据权利要求1所述的嵌入式光栅结构窄带近红外热电子光电探测器，其特征在于，所述金光栅厚度为100～400nm。

5.根据权利要求4所述的嵌入式光栅结构窄带近红外热电子光电探测器，其特征在于，所述金光栅嵌入硅基底中的嵌入深度为0～600nm。

6.根据权利要求5所述的嵌入式光栅结构窄带近红外热电子光电探测器，其特征在于，所述的钛薄膜层厚度为1～5nm。