[实用新型]一种退磁时间检测电路和电源装置有效

专利信息
申请号: 201921640765.6 申请日: 2019-09-27
公开(公告)号: CN211453859U 公开(公告)日: 2020-09-08
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 芯好半导体(成都)有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 代理人: 曾凯
地址: 610000 四川省成都市高新区*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 退磁 时间 检测 电路 电源 装置
【说明书】:

实用新型涉及集成电路技术领域,具体涉及一种退磁时间检测电路,以及采用了所述退磁时间检测电路的电源装置。所述退磁时间检测电路,应用于具有一储能电感和一功率开关的开关电路中,包括一退磁时间检测模块,所述退磁时间检测模块检测所述储能电感退磁时间的结束点,在所述储能电感退磁时间结束以后,输出端输出一退磁时间结束信号。本实用新型通过电阻分压去检测储能电感退磁结束以后的LC谐振电压,并与自适应的参考电压进行比较,克服了由于功率开关寄生电容带来的影响,提升了退磁时间检测点的准确性和可靠性。

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域,具体涉及一种退磁时间检测电路,以及采用了所述退磁时间检测电路的电源装置。

背景技术

图1为现有的一种开关电路,储能电感L1第一端与输入电压VIN电耦接,第二端与开关管M1的输入端耦接,同时还与续流二极管D1的阳极电耦接,开关管M1的控制端与控制模块输出端电耦接,开关管M1的输出端与地电耦接,续流二极管D1的阴极与输出电容C1第一端和负载第一端电耦接,所述输出电容C1第二端和负载第二端与输入电压VIN电耦接,所述控制模块的输入端与退磁时间检测模块输出端电耦接,所述退磁时间检测模块的输入端与所述开关管M1的控制端电耦接。在储能电感L1从充电状态转为退磁状态,控制模块先输出低电平将功率管M1断开,后输出端变成高阻状态,功率管M1由下拉电阻保持断开状态,储能电感L1退磁结束时,储能电感L1会和功率管M1输入端的寄生电容形成LC振荡,现有开关电路退磁时间检测的原理是利用功率管M1的寄生电容Cgd将所述LC振荡电压信号耦合到功率管M1的控制端与零电平进行比较,当所述功率管M1的控制端信号变成负电压时,退磁时间检测模块输出的退磁时间结束信号ZXC变成高电平,实现退磁时间结束点的检测。

现有开关电路中的退磁时间结束点检测存在的缺点是,退磁时间结束点会受到功率管M1寄生电容的影响,不同大小或是不同结构的功率管M1具有不同的寄生电容,导致开关电路对不同功率管M1的兼容性满足不了客户的需求。

实用新型内容

本实用新型提供了一种退磁时间检测电路,以及采用了所述退磁时间检测电路的电源装置。

根据本实用新型一实施例的一种退磁时间检测电路,应用于具有一储能电感和一功率开关的开关电路中,包括一退磁时间检测模块,具有第一输入端,第二输入端和输出端,其中第一输入端与所述功率开关输入端电耦接,第二输入端与所述功率开关控制端电耦接,所述退磁时间检测模块检测所述储能电感退磁时间的结束点,在所述储能电感退磁时间结束以后,输出端输出一退磁时间结束信号。

根据本实用新型一实施例的一种退磁时间检测电路,所述退磁时间检测模块,包括:一电阻分压电路,所述电阻分压电路具有第一端,第二端和分压输出端,其中第一端与所述功率开关输入端电耦接,第二端与地电耦接,分压输出端输出与所述功率开关输入端电压成比例的分压信号;一采样保持模块,具有第一输入端、第二输入端和输出端,其中第一输入端与所述分压信号电耦接,第二输入端与所述功率开关控制端信号电耦接,输出端输出一采样保持信号;一迟滞比较器,具有第一输入端、第二输入端和输出端,其中第一输入端与所述分压信号电耦接,第二输入端与所述采样保持信号电耦接,输出端输出一退磁时间结束信号。

根据本实用新型一实施例的一种退磁时间检测电路,所述采样保持模块,包括:一单脉冲电路,具有输入端和输出端,其中输入端与一反相器输出端电耦接,所述反相器输入端与所述功率开关控制端信号电耦接,所述单脉冲电路在所述功率开关控制端信号下降沿时刻输出一单脉冲信号;第一开关,具有输入端,输出端和控制端,其中输入端与所述电阻分压电路输出的分压信号电耦接,控制端与所述单脉冲电路输出端电耦接,接收所述单脉冲信号;一采样保持电容,具有第一端和第二端,其中第一端与所述第一开关输出端电耦接,第二端与地电耦接,所述采样保持电容在所述单脉冲信号高电平时间内采样和保持所述电阻分压电路输出的分压信号;第二开关,具有输入端,输出端和控制端,其中输入端与所述电容第一端电耦接,控制端与所述功率开关控制端信号电耦接,输出端与地电耦接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯好半导体(成都)有限公司,未经芯好半导体(成都)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921640765.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top