[实用新型]一种CMOS图像传感器像素电路及像素矩阵有效
申请号: | 201921647688.7 | 申请日: | 2019-09-29 |
公开(公告)号: | CN211019019U | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 李丹;潘扬 | 申请(专利权)人: | 炬佑智能科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H04N5/374 | 分类号: | H04N5/374 |
代理公司: | 苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345 | 代理人: | 唐学青 |
地址: | 215000 江苏省苏州市吴中区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cmos 图像传感器 像素 电路 矩阵 | ||
1.一种CMOS图像传感器像素电路,其特征在于,包含侦测单元,所述侦测单元至少包含一个开关,所述开关具有第一端、第二端、第三端,所述第一端电性连接节点FD,所述第二端电性MOS开关M14的漏极端,所述第三端电性连接控制端,
其中,若侦测单元检测出节点FD上的电荷量达到设定的阈值时,
所述第三端基于接收的信号电性断开所述第一端与所述第二端间的连接。
2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器像素电路,其特征在于,
所述第三端基于接收的信号恢复所述第一端与所述第二端电性连接。
3.如权利要求1所述的CMOS图像传感器像素电路,其特征在于,所述侦测单元,包含,MOS开关M15、电容C2,其中,
MOS开关M15的栅极端电性连接节点pdb,所述节点pdb电性连接电容C2的一端,
MOS开关M15的漏极端电性连接MOS开关M13的源极端及节点FD,所述节点FD电性连接电容C1的一端及MOS开关M11的栅极端,
MOS开关M15的源极端电性连接MOS开关M14的漏极端,
电容C2的另一端电性连接等电位端,
所述MOS开关M15基于其栅极端接收的信号导通或截止。
4.如权利要求3所述的CMOS图像传感器像素电路,其特征在于,还包含MOS开关M16、MOS开关M17及MOS开关M18、其中:
MOS开关M15的栅极端电性连接节点pdb,所述节点pdb电性连接MOS开关M16的源极端及电容C2的一端及MOS开关M17的漏极端,
MOS开关M15的漏极端电性连接节点FD,
MOS开关M16的漏极端电性连接至MOS开关M13的漏极端及供电端,
MOS开关M16的源极端电性连接MOS开关M17的漏极端及电容C2的一端,
MOS开关M16的栅极端电性连接控制模块,以接收控制模块发送的信号,
MOS开关M17的源极端电性连接MOS开关M18的漏极端,
MOS开关M17的栅极端电性连接控制模块,以接收控制模块发送的标记信号,
MOS开关M18的栅极端电性连接控制模块,以接收控制模块发送的信号。
5.如权利要求3或4所述的CMOS图像传感器像素电路,其特征在于,所述电容C2的容值正相关与CMOS图像传感器像素电路工艺漏电流大小。
6.如权利要求3所述的CMOS图像传感器像素电路,其特征在于,包含,所述MOS开关M16的栅极端接收到rst信号为高电平时,所述MOS开关M15导通。
7.如权利要求6所述的CMOS图像传感器像素电路,其特征在于,
MOS开关M14的栅极端接收到的TX信号为高时,感光元件D转化的电荷由MOS开关M15转移到节点FD上。
8.如权利要求7所述的CMOS图像传感器像素电路,其特征在于,
MOS开关M17的栅极端接收到的flag信号及MOS开关M18的栅极端接收到的S信号同时为高电平时,MOS开关M17、MOS开关M18同时导通,节点pdb被拉成低电平,MOS开关M15截止并维持截止状态,直至下一次复位rst信号变为高电平时重新导通。
9.如权利要求1-8中任一项所述的CMOS图像传感器像素电路,其特征在于,所述CMOS图像传感器像素电路为4T-APS、5T-APS、6T-APS、7T-APS、8T-APS、9T-APS中的一种。
10.一种像素矩阵,其特征在于,包含复数个规则排列的如权利要求1-8中任一项所述的CMOS图像传感器像素电路,
每列像素单元配置有一条标识信号flagi,其中i=1,2,…,i为列数。
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