[实用新型]电容部件和电子芯片

权利要求书

1.一种电容部件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

在所述半导体衬底中的沟槽；

与第一沟槽竖直排列的氧化硅层；以及

包括多晶硅或非晶硅的第一导电层和第二导电层，所述氧化硅层位于所述第一导电层和所述第二导电层之间并且与所述第一导电层和所述第二导电层接触。

2.根据权利要求1所述的电容部件，其特征在于，所述第一导电层与所述第二导电层竖直排列地定位。

3.根据权利要求1所述的电容部件，其特征在于，所述氧化硅层与所述第一导电层和所述第二导电层形成堆叠。

4.根据权利要求3所述的电容部件，其特征在于，所述氧化硅层的侧面以及所述第一导电层和所述第二导电层的侧面对应于所述堆叠的侧面。

5.根据权利要求3所述的电容部件，其特征在于，所述堆叠完全位于所述沟槽上方。

6.根据权利要求1所述的电容部件，其特征在于，包括位于所述沟槽中的绝缘层。

7.根据权利要求6所述的电容部件，其特征在于，所述绝缘层完全填充所述沟槽。

8.根据权利要求6所述的电容部件，其特征在于，所述绝缘层为所述沟槽的壁加衬，所述电容部件还包括通过所述绝缘层与所述衬底隔开的多晶硅壁。

9.根据权利要求1所述的电容部件，其特征在于，所述第一导电层包括外围，所述电容部件还包括：

将所述第一导电层的所述外围与所述第二导电层分开的环形的氧化物-氮化物-氧化物结构。

10.一种电子芯片，其特征在于，包括：

半导体衬底；

第一电容部件，所述第一电容部件包括：

在所述半导体衬底中的第一沟槽；

与所述第一沟槽竖直排列的第一氧化硅层；以及

包括多晶硅或非晶硅的第一导电层和第二导电层，所述第一氧化硅层位于所述第一导电层和所述第二导电层之间并且与所述第一导电层和所述第二导电层接触。

11.根据权利要求10所述的电子芯片，其特征在于，还包括晶体管栅极，所述晶体管栅极包括第三导电层和搁置在所述第三导电层上的第四导电层。

12.根据权利要求10所述的电子芯片，其特征在于，包括第二电容部件，所述第二电容部件包括：

所述半导体衬底中的第二沟槽；

与所述第二沟槽竖直排列的第二氧化硅层；以及

包括多晶硅或非晶硅的第三导电层和第四导电层，所述第二氧化硅层位于所述第三导电层和所述第四导电层之间并且与所述第三导电层和所述第四导电层接触，并且所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层具有不同的厚度。

13.根据权利要求10所述的电子芯片，其特征在于，包括第二电容部件，所述第二电容部件包括：

第三导电层和第四导电层；以及

所述第三导电层和所述第四导电层之间的第一氧化物-氮化物-氧化物三层结构。

14.根据权利要求13所述的电子芯片，其特征在于，包括存储器单元，所述存储器单元包括浮置栅极、控制栅极和位于所述浮置栅极和所述控制栅极之间的第二氧化物-氮化物-氧化物三层结构，所述浮置栅极和所述控制栅极包括第五导电层和第六导电层。