[实用新型]卧式扩散炉的石英管

说明书

卧式扩散炉的石英管。涉及半导体加工技术领域，尤其涉及卧式扩散炉的石英管的结构改进。提供了结构紧凑合理，提高氧化膜厚度均匀性的卧式扩散炉的石英管。包括管体，所述管体上靠近进气口处设有气体搅拌机构；所述气体搅拌机构包括风叶和与所述管体的内腔适配的导流柱；所述导流柱包括依次连通的导向部、混合仓和扩散仓；所述导向部上设有若干倾斜设置的导流孔；若干所述导流孔的进气口分别均布设置在所述导流柱的端部，所述导流孔的出气口分别与所述混合仓连通；所述混合仓位于所述导向部与扩散部之间，靠近所述导流部的中部位置；所述风叶活动设置在所述扩散仓上，位于中部位置。本实用新型具有结构紧凑合理，提高氧化膜厚度均匀性等特点。

技术领域

本实用新型涉及半导体加工技术领域，尤其涉及卧式扩散炉的石英管的结构改进。

背景技术

扩散炉是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。扩散炉与其内的石英管相配合，常用于半导体硅片的高温扩散，进而生产得到芯片。

扩散炉用石英管设置在扩散炉的腔体内，并通过加热扩散炉来升温，其中石英管的一端设置有多个分别用于通入多种高纯气体的进气口，石英管的另一端设置有用于排出多余气体的排气口。在扩散工艺过程中，待扩散的硅片置于石英管中央，石英管在扩散炉的腔体内升温至1250℃，多种高纯气体从进气口进入管内，并与扩散源在高温下反应并扩散进入硅片内，多余的气体则从排气口排出。然而，从进气口通入的多种高纯气体间密度差异较大，在进入管内后便形成层流，即密度小的气体在最上面，并且从上到下气体的密度依次增大，如氮气在上面，氧气在最下面。这些混合不均的气体在遇到硅片后，反应速度及扩散速度随高度的变化而变化，导致扩散源在硅片的上、下部分扩散浓度不均，最终导致硅片表面的氧化膜厚度不均匀。

实用新型内容

本实用新型针对以上问题，提供了结构紧凑合理，提高氧化膜厚度均匀性的卧式扩散炉的石英管。

本实用新型的技术方案是：包括管体，所述管体上靠近进气口处设有气体搅拌机构；

所述气体搅拌机构包括风叶和与所述管体的内腔适配的导流柱；

所述导流柱包括依次连通的导向部、混合仓和扩散仓；

所述导向部上设有若干倾斜设置的导流孔；

若干所述导流孔的进气口分别均布设置在所述导流柱的端部，所述导流孔的出气口分别与所述混合仓连通；

所述混合仓位于所述导向部与扩散部之间，靠近所述导流柱的中部位置；

所述风叶活动设置在所述扩散仓上，位于中部位置。

所述扩散仓的开口由靠近所述混合仓的一侧向管体中部方向逐步递增。

所述混合仓上靠近所述导向部的一端呈球冠状。

所述风叶铰接设置在所述扩散仓的靠近管体的一侧。

所述搅拌机构与管体的进气口之间还设有倾斜设置的单向止回阀，所述单向止回阀与所述管体的内腔相适配。

所述单向止回阀包括外圈框体、上固定部和下铰接部；

所述外圈框体上设有与上固定部和下铰接部适配的安装孔；

所述上固定部呈半圆形，与安装孔相适配，固定设置在所述安装孔的顶部位置；

所述下铰接部适配的铰接在所述上固定部的下方；

所述下铰接部与所述安装孔相适配。