[实用新型]反熔丝存储单元电路及阵列电路

说明书

本实用新型提供一种反熔丝存储单元电路及阵列电路，本实用新型的优点在于：1、本实用新型反熔丝存储单元电路是纯组合电路，相比时序电路，在延迟若干时间之后，所有通路都被关闭，且整个电路没有逻辑动作，静态功耗更低，功耗近似为0；2、本实用新型反熔丝存储单元电路通过开关和逻辑运算模块的设计，实质上构成了两个正反馈回路，使得读出电路可以更可靠的读出“0”或“1”；3、本实用新型反熔丝存储单元电路可以省去复杂的时序控制部分，甚至读出电路的输出OUTA/OUTB可以不用锁存，直接作为反熔丝的编码输出。4、本实用新型反熔丝存储单元电路版图布局布线灵活。

技术领域

本实用新型涉及集成电路领域，尤其涉及一种反熔丝存储单元电路及阵列电路。

背景技术

一次可编程(OTP，One Time Programmable)存储器可将数据存储在具有未编程或已编程两种状态的多个OTP单元中。OTP单元可包括熔丝或反熔丝，一旦熔丝或反熔丝被编程，所存储的数据是永久的。由于这个特性，OTP存储器被用于各种应用中以存储数据。在DRAM中，OTP用来控制冗余(redundancy)存储单元的打开或关断，例如当有一个字线对应的存储单元有缺陷时，对应的OTP单元将被编程(OTP单元的输出状态由“0”到“1”)，DRAM的控制电路将关闭对这个存储单元的读写，并将打开冗余区域的一个存储单元的读写，此时，冗余区域对应的存储单元完全取代了有缺陷的存储单元，DRAM的缺陷被修复。

目前的一次可编程存储器存在如下问题：1、一次可编程存储器静态功耗大的问题；2、一次可编程存储器读出电路可靠性差的问题；3、一次可编程存储器控制电路复杂的问题；4、一次可编程存储器版图布局布线不灵活的问题。

因此，如何克服上述问题，成为目前亟需解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种反熔丝存储单元电路及阵列电路，其静态功耗更低，读出电路的可靠性高，且结构简单，布线灵活。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种反熔丝存储单元电路，其包括：反熔丝器件；开关模块，耦接于所述反熔丝器件；选择模块，耦接于所述开关模块；控制模块，分别耦接于所述反熔丝器件和所述开关模块；其中，所述控制模块用于根据所述反熔丝器件的击穿状态，切换所述开关模块的通断模式。

进一步，所述反熔丝器件具有第一端和第二端，所述开关模块包括第一开关单元和第二开关单元，所述第一开关单元及所述第二开关单元均具有第一端、第二端和控制端，且所述控制端均耦接于所述控制模块，所述第二端均耦接于选择模块，所述第一开关单元的第一端耦接于所述反熔丝器件的第一端，所述第二开关单元的第一端耦接于所述反熔丝器件的第二端。

进一步，所述开关模块还包括第三开关单元，所述第三开关单元具有第一端、第二端及控制端，所述第三开关单元的第一端耦接于所述反熔丝器件的第一端，所述第三开关单元的第二端耦接于接地信号，所述第三开关单元的控制端耦接于所述控制模块。

进一步，所述选择模块包括位线选择单元和字线选择单元，所述位线选择单元和所述字线选择单元均具有第一端、第二端和控制端，所述位线选择单元的控制端耦接于位线，所述位线选择单元的第一端耦接于所述第二开关单元的第二端，所述位线选择单元的第二端耦接于接地信号，所述字线选择单元的控制端耦接于字线，所述字线选择单元的第一端耦接于所述第一开关单元的第二端，所述字线选择单元的第二端耦接于电源信号。

进一步，所述反熔丝存储单元电路还包括电流提供模块，具有第一端和第二端，所述电流提供模块的第一端耦接于电源信号，第二端耦接于所述字线选择单元的第二端。

进一步，所述控制模块包括控制单元，所述控制单元具有输入端及输出端，所述输入端耦接于所述反熔丝器件的第一端、写使能信号、读使能信号、读使能延迟信号，所述输出端耦接于所述开关模块。