[实用新型]具有止裂线路的芯片以及测试芯片裂痕的装置有效
申请号: | 201921654386.2 | 申请日: | 2019-09-29 |
公开(公告)号: | CN210272264U | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 张志伟 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/78 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 线路 芯片 以及 测试 裂痕 装置 | ||
1.一种具有止裂线路的芯片,其特征在于,所述止裂线路具有导电性,设置于所述芯片上表面,将所述芯片表面的第一预设区域包围在内,且所述止裂线路具有首端和尾端,所述首端和尾端不导通。
2.根据权利要求1所述的具有止裂线路的芯片,其特征在于,所述第一预设区域外围至少具有一圈止裂线路,且所述第一预设区域的至少一侧有重叠排布的所述止裂线路,且所述重叠排布的所述止裂线路相互之间也不导通。
3.根据权利要求1所述的具有止裂线路的芯片,其特征在于,所述止裂线路围成第二预设区域和第三预设区域,所述第三预设区域沿所述第二预设区域外围设置,并与所述第二预设区域连通,由所述第二预设区域将所述第一预设区域包围在内。
4.根据权利要求1所述的具有止裂线路的芯片,其特征在于,还包括至少2个导电测试垫,设置在所述芯片表面的不同位置,并连接到所述止裂线路。
5.根据权利要求1所述的具有止裂线路的芯片,其特征在于,所述止裂线路由导电材料制成,所述导电材料包括多晶硅、钨、铜以及铝中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的具有止裂线路的芯片,其特征在于,所述止裂线路与所述第一预设区域之间无接触。
7.一种测试芯片裂痕的装置,其特征在于,包括:
如权利要求1至6中任一项所述的芯片;
电源,连接于所述止裂线路的任意两点之间,形成闭合回路。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,还包括:
负载电阻,连接到所述闭合回路上。
9.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,还包括:
电流表,连接到所述闭合回路上。
10.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,还包括:
灯泡,连接到所述闭合回路上,用于供用户通过所述灯泡的亮灭情况判断所述闭合回路的开闭状态,以及所述止裂线路的短路状态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造