[实用新型]监控△Tj大电流功率循环的电路控制结构有效

专利信息
申请号: 201921655976.7 申请日: 2019-09-30
公开(公告)号: CN211653051U 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 吴志刚;刘年富;陈益敏;张健;田熠;赵翔 申请(专利权)人: 杭州高裕电子科技有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R19/00;G01R1/02
代理公司: 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 代理人: 沈相权
地址: 311107 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 监控 tj 电流 功率 循环 电路 控制 结构
【说明书】:

实用新型公开了一种监控△Tj大电流功率循环的电路控制结构,包括被测MOS管Q1、电压源VR、电流源Im、按键开关K1、按键开关K2、按键开关K3、按键开关K4、电阻R1、寄生二极管D1和电压表,按键开关K1的一端接电压源VR,按键开关K1的另一端分别与被测MOS管Q1的4引脚和按键开关K4的一端电性连接,按键开关K4的另一端接‑5V电压,被测MOS管Q1的1引脚分别与寄生二极管D1负极和电压表的一端电性连接其节点接+5V电压。本实用新型克服了传统的MOSFET间歇寿命试验中由于没有设置结温监控导致在试验中易出现器件失效的风险的问题。本实用新型具有按键的使用寿命长、具有防尘功能、采集数据方便、计算数据方便和测量精度较高等优点。

技术领域

本实用新型涉及一种电路控制结构,更具体地说,涉及一种监控△Tj大电流功率循环的电路控制结构。

背景技术

半导体器件的性能和寿命受温度影响很大,尤其是对于功率器件来说。功率器件在工作过程中受大功率影响,会产生大量的热量,引起器件温度的上升。MOSFET工作过程中会产生大量热量,而热量主要产生在PN结处,表现为器件结温的上升,所以MOSFET的结温是影响MOSFET性能的重要参数之一。实现对MOSFET结温的有效监测,可以实现MOSFET的过温保护,以及降低器件失效的风险等。

实用新型内容

本实用新型为了克服传统的MOSFET间歇寿命试验中由于没有设置结温监控导致在试验中易出现器件失效的风险的问题,现提供具有结温监控功能的一种带结温监控的MOSFET间歇寿命试验系统的电路控制结构。

本实用新型的一种监控△Tj大电流功率循环的电路控制结构,包括被测MOS管Q1、电压源VR、电流源Im、按键开关K1、按键开关K2、按键开关K3、按键开关K4、电阻R1、寄生二极管D1和电压表,所述的按键开关K1的一端接电压源VR,所述的按键开关K1的另一端分别与被测MOS管Q1的4引脚和按键开关K4的一端电性连接,所述的按键开关K4的另一端接-5V电压,所述的被测MOS管Q1的1引脚分别与寄生二极管D1负极和电压表的一端电性连接其节点接+5V电压,所述的被测MOS管Q1的2和3引脚电性连接,所述的被测MOS管Q1的2引脚分别与按键开关K2的一端、电流源Im的正极、寄生二极管D1的正极和电压表的另一端电性连接,所述的按键开关K2的另一端与电阻R1的一端电性连接,所述的电阻R1的另一端与按键开关K3的一端电性连接,所述的电阻R1的另一端接地,所述的按键开关K3的另一端电流源Im的负极电性连接。

高温反偏试验时:使用者需先使用K系数测试仪测出被测MOS管Q1的K值,并记下K值。K1、K2闭合,K3、K4断开,加反向电压试验。试验过程中短暂的切断电压源VR,切入Im测试被测MOS管Q1的VM值,再将电压源VR接入开关K1的1引脚,测试被测MOS管Q1的VH值,利用△Tj=△VF/K=( VM-VH)/K计算被测MOS管Q1的△Tj 。

结温测试时: K1、K2断开,K3、K4闭合,加测试电流源Im测试被测MOS管Q1的热敏电压,通过电压表来实时读取热敏电压值,从而来实现对被测MOS管Q1结温的有效监测,降低被测MOS管Q1失效的风险等。

作为优选,所述的按键开关K1、按键开关K2、按键开关K3和按键开关K4的结构相同,所述的按键开关K1包括作为主体的按键,所述的按键外配有按键槽,所述的按键底部的两侧设有用于阻挡空气中的灰尘进入按键槽的防尘板,所述的按键槽开口的两侧设有与所述的防尘板配合使用的挡板。

利用防尘板和挡板的配合使用,可以让按键在不使用时阻挡灰尘进入按键内,从而提高按键的使用寿命。

作为优选,所述的按键槽的凹槽底部与按键的底部之间设有用于将按键进行自动复位的复位弹簧,所述的防尘板包括用于支撑的支架,所述的支架前端设有用于阻隔灰尘的橡胶垫片。

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