[实用新型]一种兼容可控硅调光器的泄放电流控制电路有效
申请号: | 201921656006.9 | 申请日: | 2019-09-30 |
公开(公告)号: | CN211019334U | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 庄华龙;刘羽 | 申请(专利权)人: | 帝奥微电子有限公司 |
主分类号: | H05B45/30 | 分类号: | H05B45/30 |
代理公司: | 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 | 代理人: | 赵芳梅 |
地址: | 226017 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 兼容 可控硅 调光器 电流 控制电路 | ||
1.一种兼容可控硅调光器的泄放电流控制电路,适用于具有可控硅调光器的LED驱动电路,所述LED驱动电路还包括整流模块和可控硅调光器,所述整流模块与所述可控硅调光器和所述泄放电流控制电路连接,所述可控硅调光器用以接受交流信号并将其斩波后,发送斩波信号所至整流模块并将其整流后,产生母线电压信号于所述泄放电流控制电路的输入端,其特征在于,所述泄放电流控制电路包括:
自适应偏置模块,根据所述可控硅调光器流经所述自适应偏置模块的漏电流产生偏置电压;
电流泄放模块,与所述自适应偏置模块连接,所述自适应偏置模块根据所述偏置电压控制所述电流泄放模块的泄放电流,所述电流泄放模块用于控制所述泄放电流的最大值;
其中,当漏电流偏大时,所述可控硅调光器于导通前的泄放电流增大接近第一阀值时,所述自适应偏置模块通过控制所述偏置电压及所述泄放电流减小所述可控硅调光器的压差的增大幅度以减小损耗;当漏电流偏小时,所述可控硅调光器于导通前的泄放电流减小接近第二阀值时,所述自适应偏置模块通过控制所述偏置电压及所述泄放电流减小所述可控硅调光器的压差的下降幅度以维持所述可控硅调光器的调光控制。
2.根据权利要求1所述的泄放电流控制电路,其特征在于,所述自适应偏置模块通过所述LED驱动电路的温度而调整所述偏置电压。
3.根据权利要求1所述的泄放电流控制电路,其特征在于,所述自适应偏置模块包括:
第一电阻,一端接收所述母线电压信号;
第二电阻,一端连接所述第一电阻的另一端,另一端接地,所述第一电阻及所述第二电阻的连接点为分压点;
第三电阻,一端连接所述第一电阻及所述第二电阻的连接点;
第一晶体管,所述第一晶体管的漏极连接其闸极和所述第三电阻的另一端,其中,当分压点的电压位准大于所述第一晶体管的导通阀值时,所述第一晶体管具有电流;
电容,一端连接所述第一晶体管的漏极连接其闸极和所述第三电阻的另一端,另一端接地;
第一电流镜,一端连接所述第一晶体管的源极,另一端接地,所述第一电流镜用于控制所述第一晶体管的闸极产生的所述偏置电压。
4.根据权利要求3所述的泄放电流控制电路,其特征在于,当漏电流偏大时,所述可控硅调光器的泄放电流增大接近第一阀值时,所述第一晶体管的闸极的电压位准随着所述母线电压信号的增大而增大,接着,所述第一电流镜减小所述第一晶体管的闸极的电压位准的增大幅度,所述自适应偏置模块通过所述泄放电流控制所述母线电压信号的增大幅度的减小而减小所述可控硅调光器的压差的增大幅度以减小损耗。
5.根据权利要求3所述的泄放电流控制电路,其特征在于,当漏电流偏小时,且所述可控硅调光器的泄放电流下降接近第二阀值时,所述第一晶体管的闸极的电压位准随着所述母线电压信号的减小而减小,接着,所述第一电流镜减小所述第一晶体管的闸极的电压位准的减小幅度,流经所述第一晶体管的第一电流及所述母线电压信号的减小幅度也相对减小,所述自适应偏置模块通过所述泄放电流控制所述母线电压信号的减小幅度的减小以维持所述可控硅调光器的调光控制。
6.根据权利要求3所述的泄放电流控制电路,其特征在于,所述第一晶体管为N型场效式晶体管。
7.根据权利要求3所述的泄放电流控制电路,其特征在于,所述电流泄放模块包括:
第二晶体管,所述第二晶体管的漏极连接所述第一电阻的一端并接收所述母线电压信号,所述第二晶体管的闸极连接所述电容的一端、所述第一晶体管的漏极连接其闸极和所述第三电阻的另一端;
第三晶体管,所述第三晶体管的漏极连接所述第二晶体管的源极,所述第三晶体管的源极接地,其中,所述泄放电流流经所述第二晶体管和所述第三晶体管;
第四晶体管,所述第四晶体管的闸极与其漏极并和第三晶体管的闸极连接,所述第四晶体管的源极接地;
第二电流镜,一端连接电源,另一端连接所述第四晶体管的闸极与其漏极,其中,所述第二电流镜和所述第四晶体管用于控制流经所述第三晶体管的所述泄放电流的最大值。
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