[实用新型]一种磷化铟半导体激光晶圆及磷化铟半导体激光芯片

权利要求书

1.一种磷化铟半导体激光晶圆，其特征在于:包括二氧化硅电介质膜层、N型衬底以及生长在N型衬底上端面的外延结构，所述外延结构包括N型缓冲层、N型包层、N型波导层、量子阱层以及P型波导层、P型包层、第一P型限制层、第二P型限制层、P型帽层，所述N型缓冲层生长在N型衬底上，所述N型包层制作在N型缓冲层上，所述N型波导层制作在N型包层上，所述量子阱层制作在N型波导层上，所述P型波导层制作在量子阱层上，所述P型包层制作在P型波导层上，所述第一P型限制层制作在P型包层上，所述第二P型限制层制作在第一P型限制层上，所述P型帽层制作在第二P型限制层上，在外延结构的P型帽层上刻蚀形成双沟，双沟为两条互相平行的沟槽，在双沟之间形成脊型台面；所述二氧化硅电介质膜层覆盖在P型帽层的上表面以及双沟底部及双沟两侧侧面，所述脊型台面上的二氧化硅电介质膜层为断开的，裸露出P型帽层，该脊型台面的裸露区域接触到金属形成P面电极接触。

2.根据权利要求1所述的磷化铟半导体激光晶圆，其特征在于：所述衬底采用N型磷化铟半导体材料；N型缓冲层采用N型磷化铟半导体材料；N型包层采用N型铟铝砷三元半导体材料；N型波导层采用N型铟镓砷三元半导体材料；量子阱层采用铟镓铝砷四元半导体材料；P型波导层采用P型铟镓砷三元半导体材料；P型包层采用P型铟铝砷三元半导体材料；第一P型限制层和第二P型限制层采用铟镓砷磷四元半导体材料；P型帽层采用P型铟镓砷三元半导体材料。

3.根据权利要求1所述的磷化铟半导体激光晶圆，其特征在于：所述沟槽的两端分别贯穿外延结构的两端。

4.根据权利要求1所述的磷化铟半导体激光晶圆，其特征在于：双沟的刻蚀深度一直从P型帽层到第二P型限制层的上表面。

5.一种磷化铟半导体激光芯片，其特征在于:包括权利要求1至4任一所述的磷化铟半导体激光晶圆，所述磷化铟半导体激光晶圆的表面设有解理面区域，覆盖在磷化铟半导体激光晶圆表面位于解理面区域的二氧化硅电介质膜层被去除，通过解理面区域对磷化铟半导体激光晶圆解理得到磷化铟半导体激光芯片。

6.根据权利要求5所述的磷化铟半导体激光芯片，其特征在于：解理面区域包括磷化铟半导体激光晶圆双沟两侧覆盖有二氧化硅电介质膜层的区域的两端边缘区域；磷化铟半导体激光晶圆的两端指沟槽长度方向的两端；解理面区域包括四个长条形解理面区域，长条形解理面区域的长度方向与沟槽的长度方向垂直；长条形解理面区域的一长边位于磷化铟半导体激光晶圆的端面上；双沟两侧对称设置。