[实用新型]带结温监控的三极管间歇寿命试验的电路控制结构有效

专利信息
申请号: 201921657661.6 申请日: 2019-09-30
公开(公告)号: CN210835141U 公开(公告)日: 2020-06-23
发明(设计)人: 吴志刚;刘年富;陈益敏;张健;田熠;赵翔 申请(专利权)人: 杭州高裕电子科技有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;H01H13/14;H01H13/06
代理公司: 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 代理人: 沈相权
地址: 311121 浙江省杭州市余*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 带结温 监控 三极管 间歇 寿命 试验 电路 控制 结构
【说明书】:

实用新型公开了一种带结温监控的三极管间歇寿命试验的电路控制结构,包括作为被测器件的三极管Q1,三极管Q1的集电极与基极间串联有电压源Vcb和按键开关SW,三极管Q1的集电极与电压源Vcb的正极电性连接,电压源Vcb的负极与按键开关SW的一端电性连接,按键开关SW的另一端分别与三极管Q1的基极、电压表的一端和电压源Vbe的正极电性连接,电压源Vbe的负极分别与电流源IH的一端和电流源IM的一端电性连接,电流源IH的另一端分别与电流源IM的另一端、三极管Q1的发射极和电压表的另一端电性连接。本实用新型克服了现有技术中存在的传统的三极管间歇寿命试验中由于没有设置结温监控导致在试验中易出现器件失效的风险的问题。本实用新型具有测量精度高等优点。

技术领域

本实用新型涉及一种电路控制领域,更具体地说,涉及一种带结温监控的三极管间歇寿命试验的电路控制结构。

背景技术

半导体器件的性能和寿命受温度影响很大,尤其是对于功率器件来说。功率器件在工作过程中受大功率影响,会产生大量的热量,引起器件温度的上升。三极管工作过程中会产生大量热量,而热量主要产生在PN结处,表现为器件结温的上升,所以三极管的结温是影响三极管性能的重要参数之一。实现对三极管结温的有效监测,可以实现三极管的过温保护,以及降低器件失效的风险等。

实用新型内容

本实用新型为了克服现有技术中存在的传统的三极管间歇寿命试验中由于没有设置结温监控导致在试验中易出现器件失效的风险的问题,现提供一种带结温监控的三极管间歇寿命试验的电路控制结构。

本实用新型的一种带结温监控的三极管间歇寿命试验的电路控制结构,包括作为被测器件的三极管Q1,所述的三极管Q1的集电极与基极间串联有电压源Vcb和按键开关SW,所述的三极管Q1的集电极与电压源Vcb的正极电性连接,所述的电压源Vcb的负极与按键开关SW的一端电性连接,所述的按键开关SW的另一端分别与三极管Q1的基极、电压表的一端和电压源Vbe的正极电性连接,所述的电压源Vbe的负极分别与电流源IH的一端和电流源IM的一端电性连接,所述的电流源IH的另一端分别与电流源IM的另一端、三极管Q1的发射极和电压表的另一端电性连接。

三极管间歇寿命试验时,使用者需先使用K系数测试仪测出三极管Q1的K值,手动按下按键开关SW前的瞬间,快速地读取电压表测得的三极管Q1基极与发射极间的热敏电VbeL,之后手动按下按键开关SW待电路稳定后松开,在按键开关SW松开瞬间,快速地读取电压表测得的三极管Q1基极与发射极间的热敏电VbeH,最后将测得的K值、VbeL和VbeH输入计算机中进行计算得出△Tj,计算公式为△Tj=△Vbe/K=(VbeL-VbeH)/K 。

实验过程中电流源IM一直加在回路里,由于电流源IM的电流很小,可以忽略对结温的影响。通过电压表对三极管结温的有效监测,可以实现对三极管的过温保护,以及降低器件失效的风险等

作为优选,所述的按键开关SW包括作为主体的按键,所述的按键外配有按键槽,所述的按键底部的两侧设有用于阻挡空气中的灰尘进入按键槽的防尘板,所述的按键槽开口的两侧设有与所述的防尘板配合使用的挡板。

利用防尘板和挡板的配合使用,可以让按键在不使用时阻挡灰尘进入按键内,从而提高按键的使用寿命。

作为优选,所述的按键槽的凹槽底部与按键的底部之间设有用于将按键进行自动复位的复位弹簧,所述的防尘板包括用于支撑的支架,所述的支架前端设有用于阻隔灰尘的橡胶垫片。

利用橡胶垫片既可以阻挡部分灰尘进入按键内,又可以在按键复位时吸收部分压力,从而提高按键的使用寿命。利用复位弹簧可以在手松开按键后,自动对按键进行复位。

本实用新型具有以下有益效果:按键的使用寿命长,具有防尘功能,采集数据方便,计算数据方便,测量精度较高。

附图说明

附图1为本实用新型的电路结构示意图。

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