[实用新型]一种镀膜治具

说明书

一种镀膜治具，用于半导体晶片的电子束或离子束蒸镀工艺，治具为一种装填颗粒状镀料的衬锅，衬料经过电子束或离子束的激发蒸发镀料对半导体晶片进行镀膜，该镀膜治具具有锥状开口，开口的角度不大于75°，减小开口角度、减少治具底部面积，保证治具在镀膜过程中，具有更均匀的温场，避免镀料凝聚，提高镀料使用率。

技术领域

本实用新型涉及一种镀膜治具，特别是一种用于半导体镀膜的衬锅。

背景技术

在物理气相沉积PVD镀膜中，利用镀膜机对半导体晶片进行镀膜，通常将镀料装于衬锅中进行镀膜作业，参考图1，一般使用的衬锅均为平底衬锅，具有U型开口110，镀料为颗粒状单质金属，以铬为例，在镀膜过程，电子束或者离子束在电磁场的控制下打到镀料上，利用高温蒸发镀料，镀料均匀覆盖在半导体晶片上。

在传统的平底衬锅中，因中间热能最高，中间区域镀料虽然表面蒸发，但位于底部的镀料在高温下凝聚成块状粘附再衬锅底部，导致该区域底部附上镀料，这部分的镀料物理结构发生了改变，多次镀膜后造成污染甚至会造成蒸镀电极的附着层厚度偏薄导致电极脱落，产品失效。

实用新型内容

本实用新型提供了上述问题的解决方法，即提供了一种镀膜治具，用于半导体晶片的镀膜工艺，治具为一种装填颗粒状镀料的衬锅，利用电子束或离子束蒸发镀料对半导体晶片进行镀膜，能够解决背景技术中提到的技术问题，镀膜治具具有锥状开口，开口的角度不大于75°，由于侧壁与冷却管路连接，冷却效果比底部好，开口角度过大，侧壁的镀料受热不均匀，容易凝聚粘附在衬锅侧壁，凝聚后的，导致镀料的使用率下降。

根据本实用新型，开口的角度不大于60°，减小电子束或离子束扫描的范围，提供更均匀的热场。

根据本实用新型，优选的，锥状开口的开口面积为锥状开口的底部面积的4至6倍，或者6倍以上，本实用新型通过改变开口形状，限制开口底部面积，其原理根据颗粒状镀料（如铬、锡、银或者氧化硅等颗粒）在电子枪作用下会根据电子枪的作用面积结块，根据块状结构的高度和宽度去设计衬锅治具，使其贴近实际镀膜情况，避免底部镀料凝聚粘附，造成衬锅污染。

根据本实用新型，优选的，锥状开口的侧壁为阶梯状，主要目的是制作工艺简单，也有利于盛放镀料。

根据本实用新型，优选的，锥状开口具有帽檐结构，降低蒸镀角，减少镀料镀到镀膜机腔体上，提高镀料的使用率。

根据本实用新型，优选的，帽檐结构覆盖整圈锥状开口。

根据本实用新型，优选的，颗粒状镀料为铬、锡、银或者氧化硅。

本实用新型的有益效果包括上述实用新型内容所描述的作用，提升了镀料的利用率，提高了镀膜工艺的镀膜均匀性，减少由于衬锅污染而造成的掉电极或者产品失效的异常。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。

图1为本实用新型的背景技术中传统衬锅的剖视示意图；

图2为本实用新型的实施例1的衬锅的剖视示意图；

图3为本实用新型的实施例2的衬锅的剖视示意图；

图4为本实用新型的实施例2的镀膜示意图；

图5和图6为本实用新型的实施例3的衬锅的剖视示意图。

图中标示：100、衬锅；110、开口，120、侧壁，130、底部，140、帽檐，200、电子枪，210、电子束，α、开口角度。

具体实施方式