[实用新型]电极密封装置有效
申请号: | 201921662939.9 | 申请日: | 2019-09-30 |
公开(公告)号: | CN210892725U | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 黄志国;石映;徐洪华 | 申请(专利权)人: | 扬州市硕成伟业电热设备有限公司 |
主分类号: | F27D11/10 | 分类号: | F27D11/10;F16J15/06 |
代理公司: | 北京精金石知识产权代理有限公司 11470 | 代理人: | 宋秀兰 |
地址: | 225200 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 密封 装置 | ||
本实用新型提供了电极密封装置。涉及密封装置技术领域,具体涉及一种电极密封装置。结构紧凑,电极结构配合间隙小、密封效果好的。包括穿过炉体底部的电极本体,所述电极本体的外壁设有凸台,所述凸台的底部与炉体底部之间从上到下依次卡设有第一密封垫、外绝缘环和第二密封垫,所述电极本体的底端套设有轴套,所述轴套位于所述电极本体与炉体底部之间;所述内绝缘环朝向电极本体的一侧设有沉孔,所述炉体底部的上方设有横向的螺杆,所述螺杆依次穿过所述沉孔、容置槽、第二密封垫和隔热套,所述螺杆的尾部位于沉孔内,所述螺杆的头部设有通过内螺纹与螺杆连接的旋钮,所述旋钮位于隔热套外侧。
技术领域
本实用新型涉及密封装置技术领域,具体涉及一种电极密封装置。
背景技术
目前改良西门子法是国际上多晶硅的主要生产工艺方法,用此方法生产的多晶硅约占多晶硅全球总产量的85%。该方法是在还原炉反应器中设置硅芯,按照一定条件下硅在硅芯上沉积,后生长成硅棒,制得高纯度的多晶硅,同时产生一些硅粉等副产物,其中还原炉反应器中的电极结构和绝缘方式是还原炉运行的关键技术所在。
但在现有技术中,由于电极结构存在配合间隙较大、密封效果差的问题,不仅增加了生产过程中的风险,还直接影响了一次高压击穿的成功率,导致了多晶硅生产成本的提高,无法实现长期连续生产的目的,因此,设计一种电极结构配合间隙小、密封效果好的电极密封装置成为了本领域技术人员亟待解决的技术问题。
实用新型内容
为了克服现有技术的不足,本实用新型提供了一种结构紧凑,电极结构配合间隙小、密封效果好的电极密封装置。
本实用新型采用如下技术方案实现:电极密封装置,包括穿过炉体底部的电极本体,所述电极本体的外壁设有凸台,所述凸台的底部与炉体底部之间从上到下依次卡设有第一密封垫、外绝缘环和第二密封垫,所述电极本体的底端套设有轴套,所述轴套位于所述电极本体与炉体底部之间;
所述密封装置还包括隔热套,所述隔热套设于炉体底部、且包套在所述凸台、第一密封垫、外绝缘环和第二密封垫的外缘;
所述外绝缘环和电极本体之间还设有内绝缘环,所述内绝缘环的上部位于外绝缘环和电极本体之间,所述内绝缘环的下部设于所述电极本体底端与炉体底部之间、且嵌套在所述轴套的外部;
所述内绝缘环的外缘设有容置槽,所述容置槽的槽口朝向所述隔热套,所述第二密封垫的截面呈三角形,所述第二密封垫的斜面朝向所述隔热套,所述第二密封垫设于所述容置槽内、且下端伸出至容置槽外;
所述内绝缘环朝向电极本体的一侧设有沉孔,所述炉体底部的上方设有横向的螺杆,所述螺杆依次穿过所述沉孔、容置槽、第二密封垫和隔热套,所述螺杆的尾部位于沉孔内,所述螺杆的头部设有通过内螺纹与螺杆连接的旋钮,所述旋钮位于隔热套外侧。
所述凸台的底部设有若干锯齿。
所述隔热套的外缘环设有凹槽。
所述外绝缘环朝向第二密封垫的底部一侧与第二密封垫的斜面相契合。
相比现有技术,本实用新型中在凸台底部设置锯齿,锯齿刺入第一密封垫内,大大提高了密封性,也提高了凸台与第一密封垫之间的连接强度;通过螺杆与旋钮的配合,使得隔热套底部与外绝缘环之间的接触更加紧密,也就使得内绝缘环、外绝缘环和隔热套之间的密封性增加,避免了硅粉或高温气体的进入,进一步的,由于第二密封垫与螺杆之间有螺纹连接,转动螺杆,使得第二密封垫向容置槽的外部运动,由于第二密封垫的斜面朝向外绝缘环,第二密封垫的运动会将外绝缘环向上顶起,从而再次增强第一密封垫与凸台之间的咬合紧密度,提高连接密封性;旋钮与螺杆尾部之间的距离的缩紧也会增加内绝缘环与炉体底部的连接紧密度,再次减少高温气体接触轴套或电极本体的可能性,提高了装置的耐久性。
附图说明
图1是本实用新型结构示意图;
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