[实用新型]一种导磁体点阵式分布的微流控容腔

权利要求书

1.一种导磁体点阵式分布的微流控容腔，包括微流控容腔主体，其特征是，所述微流控容腔主体包括样品流动层（1）、导磁体层（2）和永磁体层（3），导磁体层（2）设置在样品流动层（1）和永磁体层（3）之间，

样品流动层（1），包括芯片主体（4）、样品进口（5）、吸附容腔（6）和样品出口（7），样品进口（5）和样品出口（7）平行分布在吸附容腔（6）两侧或同侧，

导磁体层（2），包括均匀点阵式分布的导磁体（8），

永磁体层（3），包括永磁体（9）和支架（10），永磁体（9）安装在支架（10）上。

2.根据权利要求1所述的一种导磁体点阵式分布的微流控容腔，其特征是，所述样品进口（5）和样品出口（7）不在同一条轴线上。

3.根据权利要求1所述的一种导磁体点阵式分布的微流控容腔，其特征是，所述吸附容腔（6）为圆形、椭圆形或长方形。

4.根据权利要求3所述的一种导磁体点阵式分布的微流控容腔，其特征是，所述吸附容腔（6）为直径1-5mm的圆形。

5.根据权利要求1所述的一种导磁体点阵式分布的微流控容腔，其特征是，所述导磁体（8）为圆柱形、方柱形或长方柱形，导磁体（8）为磁流体或铁粉。

6.根据权利要求5所述的一种导磁体点阵式分布的微流控容腔，其特征是，所述导磁体（8）为直径0.5-1mm的圆柱形。

7.根据权利要求1所述的一种导磁体点阵式分布的微流控容腔，其特征是，所述永磁体（9）由一个永磁铁或一对永磁铁组成。

8.根据权利要求7所述的一种导磁体点阵式分布的微流控容腔，其特征是，所述永磁铁为圆形、椭圆形或方形，永磁铁材料为钕铁硼或铝镍钴。

9.根据权利要求1所述的一种导磁体点阵式分布的微流控容腔，其特征是，所述芯片主体（4）的材料为PDMS、PMMA或玻璃材料。