[实用新型]氢化物气相外延用的浮舟及浮舟装置

说明书

本实用新型提供一种氢化物气相外延用的浮舟及浮舟装置，其中，所述氢化物气相外延用的浮舟包括：舟体、连接于所述舟体上的进气管；所述舟体内部具有气体输送通道，该气体输送通道的进气口和出气口延伸至所述舟体的表面上，所述出气口为至少一个，所述进气管一端与所述进气口相连通；所述舟体能够浮在液体生长源中，其排开的生长源的重量＝舟体沉入液体生长源中的重量，所述舟体沉入液体生长源中的深度为固定值，所述出气口距离液体生长源的液面的距离，随液体生长源的液面的变化，保持固定。本实用新型的氢化物气相外延用的浮舟能够浮在液体生长源的表面，随着反应的进行，跟随液体生长源的液面下降，保证了氯化氢与液体生长源的充分反应。

技术领域

本实用新型涉及氢化物气相外延生长技术领域，尤其涉及一种氢化物气相外延用的浮舟及浮舟装置。

背景技术

气相外延是一种单晶薄层生长方法。气相外延广义上是化学气相沉积的一种特殊方式，其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。在半导体科学技术的发展中，气相外延发挥了重要作用，典型代表是Si气相外延和GaN气相外延。

其中，GaN单晶气相外延通常采用氢化物气相外延，该技术工艺设备简单、生长的GaN纯度高、电学特性好，已广泛的应用于发光器件、场效应晶体管等微波器件、电力电子器件中。

然而，目前在氢化物气相外延生长过程中，液体生长源随着反应的进行其液面会逐渐下降，而通入氯化氢气体的出气口的位置是固定的，如此容易导致氯化氢与液体生长源的反应不够充分。因此，针对上述问题，有必要提出进一步的解决方案。

实用新型内容

本实用新型旨在提供一种氢化物气相外延用的浮舟及浮舟装置，以克服现有技术中存在的不足。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：

一种氢化物气相外延用的浮舟，其包括：舟体、连接于所述舟体上的进气管；

所述舟体内部具有气体输送通道，该气体输送通道的进气口和出气口延伸至所述舟体的表面上，所述出气口为至少一个，所述进气管一端与所述进气口相连通；所述舟体能够浮在液体生长源中，其排开的生长源的重量＝舟体沉入液体生长源中的重量，所述舟体沉入液体生长源中的深度为固定值，所述出气口距离液体生长源的液面的距离，随液体生长源的液面的变化，保持固定。

作为本实用新型的氢化物气相外延用的浮舟的改进，所述舟体为一圆盘，所述进气口位于所述圆盘的顶面，所述出气口位于所述圆盘的侧面。

作为本实用新型的氢化物气相外延用的浮舟的改进，所述出气口为多个时，多个出气口周向地分布于所述圆盘的侧面。

作为本实用新型的氢化物气相外延用的浮舟的改进，所述气体输送通道包括：进气通道和多个出气通道，所述进气通道一端为所述进气口，任一所述出气通道一端为所述出气口，各出气通道的另一端与所述进气通道的另一端相连通。

作为本实用新型的氢化物气相外延用的浮舟的改进，所述浮舟的材质为石英或者三氧化二铝。

作为本实用新型的氢化物气相外延用的浮舟的改进，所述出气口径向的形状为圆、半圆、椭圆、方形中的一种，尺寸为1mm至99mm，所述出气口距离液体生长源的液面的距离为零或者大于零。

作为本实用新型的氢化物气相外延用的浮舟的改进，所述液体生长源为液体镓源。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：

一种氢化物气相外延生长用浮舟装置，其包括：反应器、位于所述反应器中的浮舟、气源、连接所述浮舟和气源的管道；

所述浮舟为如上所述的浮舟，所述气源为氯化氢气源。