[实用新型]温控输送装置有效
申请号: | 201921675092.8 | 申请日: | 2019-10-09 |
公开(公告)号: | CN210378984U | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 陈韦年 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 卢璐 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温控 输送 装置 | ||
1.一种温控输送装置,其特征在于,包括:控温机构、取放机构与传热件,所述控温机构用于对晶圆处理设备中的晶圆进行温度控制,所述取放机构用于转移晶圆,所述控温机构与所述传热件相连通,且所述控温机构内部的热量能够经过所述传热件传递,所述传热件装设在所述取放机构上。
2.根据权利要求1所述的温控输送装置,其特征在于,所述取放机构位于晶圆处理设备的开口处,所述取放机构包括取料件与驱动臂,所述取料件与所述驱动臂相连,所述取料件用于伸入所述晶圆处理设备取放晶圆,所述传热件与所述取料件相互贴合。
3.根据权利要求2所述的温控输送装置,其特征在于,所述取料件包括安装基板、第一取料臂与第二取料臂,所述第一取料臂与所述第二取料臂间隔设置在所述安装基板上,且所述第一取料臂的一端与所述第二取料臂的一端均凸出于所述安装基板,所述安装基板与所述驱动臂安装配合。
4.根据权利要求3所述的温控输送装置,其特征在于,还包括第一真空吸盘与第二真空吸盘,所述第一真空吸盘装设在所述第一取料臂上,所述第二真空吸盘装设在所述第二取料臂上。
5.根据权利要求3所述的温控输送装置,其特征在于,所述传热件包括汇流管、第一传热管与第二传热管,所述第一传热管与所述第一取料臂相贴合,所述第二传热管与所述第二取料臂相贴合,所述第一传热管与所述第二传热管均与所述汇流管的一端相连通,所述汇流管的另一端与所述控温机构相连通。
6.根据权利要求3所述的温控输送装置,其特征在于,还包括多个凸块,多个所述凸块装设在所述第一取料臂和/或第二取料臂上,所述凸块的一端凸设于所述第一取料臂与所述第二取料臂之间的间隔内,所述凸块用于对晶圆辅助支撑,且所述凸块的支撑面与所述第一取料臂及第二取料臂的支撑面均在同一个平面内。
7.根据权利要求2所述的温控输送装置,其特征在于,还包括弯折过渡板;所述弯折过渡板包括第一直板与第二直板,所述第一直板与所述驱动臂相连,所述第二直板倾斜设置在所述第一直板上,所述第二直板的另一端与所述取料件相连。
8.根据权利要求1至7任意一项所述的温控输送装置,其特征在于,还包括安装基座与调节滑轨,所述调节滑轨装设在所述安装基座上,所述取放机构可滑动地装设在所述调节滑轨上。
9.根据权利要求8所述的温控输送装置,其特征在于,还包括曝光机与温度稳定机构,所述曝光机用于对晶圆进行曝光,所述温度稳定机构用于对晶圆进行温度控制,所述取放机构在所述晶圆处理设备与所述曝光机之间移动,所述温度稳定机构与所述控温机构相连通,且所述温度稳定机构位于所述曝光机与所述晶圆处理设备之间。
10.根据权利要求9所述的温控输送装置,其特征在于,所述控温机构为热敏控温器或曝光透镜冷却水柜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造