[实用新型]密封环

说明书

一种密封环，设置在半导体工艺设备中，包括本体以及第一延伸部，前述第一延伸部朝前述密封环的内侧方向凸出于前述本体。特别地是，前述第一延伸部嵌入前述半导体工艺设备的晶座本体以及连接层之间，以防止工艺流体侵蚀前述连接层。

技术领域

本实用新型有关于一种密封环，特别是有关于一种应用在半导体工艺设备中的密封环。

背景技术

首先请参阅图1和图2，其中图1表示现有半导体工艺设备1在腔体30中对晶圆2实施半导体工艺的示意图，图2则表示图1中A部分的放大图。

如图1和图2所示，前述半导体工艺设备1例如为等离子体蚀刻设备，其主要包括晶座10以及延伸覆盖组件20。前述晶座10设置在腔体30内部，且其包括晶座本体11、流体供应单元13以及承载组件12，其中承载组件12设在晶座本体11之上，晶圆2设置在承载组件12之上，流体供应单元13则设置在晶座本体11内部，并可经过该承载组件12而对该晶圆2提供流体3；其中，沟槽14形成于该晶座10的晶座侧面15，且位于晶座本体11与承载组件12的连接处。

请继续参阅图2，在现有技术中，由于晶座本体11与承载组件12的连接处存在有微小缝隙，因此流体3往往容易经过此缝隙而在沟槽14处泄漏。

图3表示在图2中的沟槽14填入粘胶4的示意图，图4则表示图3中的粘胶4被等离子体粒子蚀刻而损耗的示意图。如图3，为了防止流体3泄漏，可在前述沟槽14中填入粘胶4，然而由于粘胶4会在半导体工艺中被等离子体粒子蚀刻而损耗(图4)，因此在长期使用后将失去其密封效果。此外，由于粘胶4损毁后难以卸除且无法重复使用，因此不利于定期补强或更换，从而会严重影响到整体工艺的合格率。

实用新型内容

有鉴于前述现有问题点，本实用新型的实施例提供一种密封环，设置在半导体工艺设备中，其中前述半导体工艺设备包括连接层以及晶座，前述晶座包括晶座本体以及用以承载前述晶圆的承载组件，前述连接层设置在前述晶座本体以及前述承载组件之间并且包含金属导体，其中前述密封环包括本体以及第一延伸部。特别地是，前述第一延伸部朝前述密封环的内侧方向凸出于前述本体，其中前述第一延伸部嵌设在前述晶座本体以及前述金属导体之间，以防止工艺流体侵蚀前述连接层内的电极等组件。

在一实施例中，前述密封环还包括第一凸出结构，自前述第一延伸部朝前述内侧方向凸出，且前述第一凸出结构的厚度小于前述第一延伸部的厚度。

在一实施例中，前述第一凸出结构和前述第一延伸部之间形成有两个凹陷区域，且前述凹陷区域位于前述第一凸出结构的相反侧。

在一实施例中，前述密封环还包括第二延伸部以及沟槽，前述第二延伸部朝前述密封环的内侧方向凸出于前述本体，且嵌设在前述晶座本体以及前述金属导体之间，以防止工艺流体侵蚀前述连接层，其中前述沟槽形成于前述第一、第二延伸部之间，用以容纳前述金属导体。

在一实施例中，前述密封环还具有第二凸出结构，自前述第二延伸部朝前述内侧方向凸出，且前述第二凸出结构的厚度小于前述第二延伸部的厚度。

在一实施例中，前述密封环还包括顶面，抵接前述承载组件并且连接前述本体、前述第二延伸部以及前述第二凸出结构。

在一实施例中，前述第一凸出部在前述密封环的径向方向上的长度大于或等于前述第二凸出部在前述径向方向上的长度。

在一实施例中，前述第二凸出结构和前述第二延伸部之间形成有凹陷区域，且前述凹陷区域邻接前述金属导体。

在一实施例中，前述密封环还包括第三延伸部，朝前述密封环的底侧方向凸出于前述本体，其中前述第三延伸部显露在前述密封环的外侧表面，且前述第三延伸部具有倒角面，对应于前述晶座本体的倒角结构。

在一实施例中，前述倒角面为斜面或曲面。

附图说明