[实用新型]一种电容有效
申请号: | 201921682121.3 | 申请日: | 2019-10-08 |
公开(公告)号: | CN211479867U | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 靳北彪 | 申请(专利权)人: | 熵零技术逻辑工程院集团股份有限公司 |
主分类号: | H01G4/005 | 分类号: | H01G4/005;H01G4/008;H01G4/08;H01G4/14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电容 | ||
1.一种电容,包括多孔导电材料(1),其特征在于:在所述多孔导电材料(1)的一侧渗孔敷设绝缘介质(2),在被渗孔敷设到所述多孔导电材料(1)上的多孔状的所述绝缘介质(2)表面上渗孔敷设导电材料(3)。
2.如权利要求1所述电容,其特征在于:所述多孔导电材料(1)和所述导电材料(3)中的至少一个设为电化学区域,所述电化学区域与氧化剂供送通道和/或还原剂供送通道连通设置。
3.如权利要求1所述电容,其特征在于:所述多孔导电材料(1)设为石墨烯、多孔碳材料、微米多孔导电材料或设为纳米多孔导电材料,和/或所述导电材料(3)设为石墨烯、多孔碳材料、微米多孔导电材料或设为纳米多孔导电材料。
4.如权利要求2所述电容,其特征在于:所述多孔导电材料(1)设为石墨烯、多孔碳材料、微米多孔导电材料或设为纳米多孔导电材料,和/或所述导电材料(3)设为石墨烯、多孔碳材料、微米多孔导电材料或设为纳米多孔导电材料。
5.一种电容,包括多孔导电薄膜(4),其特征在于:在所述多孔导电薄膜(4)的一侧渗孔敷设绝缘介质(2),在被渗孔敷设到所述多孔导电薄膜(4)上的多孔状的所述绝缘介质(2)表面上渗孔敷设导电材料(3)。
6.如权利要求5所述电容,其特征在于:所述多孔导电薄膜(4)和所述导电材料(3)中的至少一个设为电化学区域,所述电化学区域与氧化剂供送通道和/或还原剂供送通道连通设置。
7.如权利要求5所述电容,其特征在于:所述多孔导电薄膜(4)设为石墨烯、多孔碳材料、微米多孔导电材料或设为纳米多孔导电材料,和/或所述导电材料(3)设为石墨烯、多孔碳材料、微米多孔导电材料或设为纳米多孔导电材料。
8.如权利要求6所述电容,其特征在于:所述多孔导电薄膜(4)设为石墨烯、多孔碳材料、微米多孔导电材料或设为纳米多孔导电材料,和/或所述导电材料(3)设为石墨烯、多孔碳材料、微米多孔导电材料或设为纳米多孔导电材料。
9.如权利要求1至8中任一项所述电容,其特征在于:所述绝缘介质(2)包括聚酰亚胺。
10.如权利要求1至8中任一项所述电容,其特征在于:所述绝缘介质(2)设为纳米金刚石材料。
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