[实用新型]半导体封装元件及其控制电路

权利要求书

1.一种控制电路，连接至内部电路，其特征在于，所述控制电路包括：

第一节点，用以接收第一电源输入；

第二节点，用以接收第二电源输入，所述第二节点连接到所述内部电路；

电压调节器，具有输入节点与输出节点，所述输出节点连接到所述内部电路；和

开关装置，连接在所述第一节点与所述电压调节器的所述输入节点之间；

其中，

所述开关装置的控制端连接到所述第二节点，且当所述第二电源输入为第二电压值时，所述开关装置断开所述第一节点与所述电压调节器的所述输入节点之间的连接。

2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，当所述第二电源输入不为所述第二电压值时，所述开关装置导通所述第一节点与所述电压调节器的所述输入节点之间的连接。

3.根据权利要求2所述的控制电路，其特征在于，当所述第二电源输入为接地电压时，所述开关装置导通所述第一节点与所述电压调节器的所述输入节点之间的连接。

4.根据权利要求2所述的控制电路，其特征在于，当所述开关装置导通所述第一节点与所述电压调节器的所述输入节点之间的连接，且所述第一电源输入为第一电压值时，所述电压调节器的所述输出节点处的电压具有所述第二电压值。

5.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述开关装置包括晶体管或熔丝。

6.根据权利要求5所述的控制电路，其特征在于，所述开关装置包括P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其中所述第一节点连接到所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极，所述第二节点连接到所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极，且所述电压调节器的所述输入节点连接到所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极。

7.根据权利要求6所述的控制电路，其特征在于，另包括电阻，所述电阻连接于所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的所述栅极和接地节点之间。

8.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述电压调节器包括低压差线性稳压器。

9.根据权利要求4所述的控制电路，其特征在于，所述第一电压值大于所述第二电压值。

10.一种半导体封装元件，其特征在于，所述半导体封装元件包括：

根据权利要求1-9中任一权利要求所述的控制电路；及

所述内部电路，其中所述控制电路与所述内部电路安置于同一芯片上。

11.根据权利要求10所述的半导体封装元件，其特征在于，所述内部电路包括存储器控制器。

12.根据权利要求11所述的半导体封装元件，其特征在于，所述半导体封装元件另包括：

存储器阵列，连接至所述存储器控制器。

13.根据权利要求12所述的半导体封装元件，其特征在于，所述存储器阵列包括NAND存储器阵列。

14.根据权利要求12所述的半导体封装元件，其特征在于，所述存储器阵列包括通用闪存存储阵列。