[实用新型]基板交接机构及基板处理装置有效
申请号: | 201921688081.3 | 申请日: | 2019-10-10 |
公开(公告)号: | CN210837694U | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 富永二郎;石原明;宫本美纪;田中裕司;犬伏祐美子 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 交接 机构 处理 装置 | ||
本实用新型提供一种即使在相对于载体搬入搬出基板的位置与进行基板处理的高度位置不同的情况下,也能够准确且迅速地进行基板的交接的基板交接机构及基板处理装置。该基板交接机构包括:处理前交接平台,其搬入并载置实施处理前的基板;处理后交接平台,其搬入并载置实施处理后的基板;升降机构,其使处理前交接平台和处理后交接平台一体地升降,在处理前交接平台位于升降机构的规定的下降位置且判断出处理前的基板已搬入的情况下,该升降机构使处理前交接平台上升到规定的高度位置,在处理后交接平台位于规定的高度位置且判断出处理后的基板已搬入的情况下,该升降机构使处理后交接平台下降到规定的下降位置。
技术领域
本实用新型涉及一种用于对例如半导体晶圆、液晶显示器用的玻璃基板(FPD基板)等板状的基板实施处理的处理装置。
背景技术
以往,在包括对半导体晶圆、玻璃基板等基板进行处理的处理单元的基板处理装置中,基板处理装置由用于向处理单元输送基板的多个输送装置和自输送装置交接基板的多个处理单元构成。
例如,公知有这样一种装置:将实施同一处理或不同的处理的处理单元和向这些处理单元输送基板的输送装置的组合作为一组的单位处理块,通过多层地重叠多个该单位处理块从而使生产性提高。
这样的单位处理块根据加工处理的工序也会增加多层化的层数而使装置整体的高度变高,例如在最上层的单位处理块中,需要用于向高度为3m~5m的高度方向进行基板交接的装置。
为了解决上述问题,以往,在各单位处理块分别准备用于在搬入搬出站所设置的的基板输送装置和处理站所设置的基板输送装置之间交接基板的交接平台来进行基板的输送。
实用新型内容
实用新型要解决的问题
谋求增加处理单位块的数量确实能够提高效率,另一方面,通过促进处理单元的处理的效率化并且加快输送装置的移动速度从而谋求一种能够进行与高生产率相对应的高速处理的处理系统。
在这样的高速处理系统中,在向多层设置的单位处理块分别输送基板时,使在搬入搬出站设置的基板输送装置沿着高度方向(Z轴)上的轴与最上层的单位处理块的高度一致。
而且,设于搬入搬出站的基板输送装置不仅沿着高度方向上的轴移动,此外还具备与基本的输送相关联的轴。这样的输送装置除Z轴方向以外,还具有保持基板的在水平方向上的移动轴(X轴)、使输送装置水平移动的轴(Y轴)以及转动轴(θ轴)。
这样的高速处理系统的设于搬入搬出站的基板输送装置以高速移动并且使多个轴同时移动并向目标高度的单位处理块移动,因而随着沿着高度方向延伸而容易受到机械振动的影响,存在对向规定位置的基板的交接产生妨碍的情况,甚至会导致装置停止。
本实用新型即是在这样的情况下做成的,其目的在于提供一种即使在多个基板输送装置设于较高的位置的基板的交接位置也能够可靠地进行基板的交接的机构和设有该机构的基板处理装置。
用于解决问题的方案
因此,本实用新型的基板交接机构包括:处理前交接平台,其搬入并载置实施处理前的基板;处理后交接平台,其搬入并载置实施处理后的基板;升降机构,其使所述处理前交接平台和所述处理后交接平台一体地升降;以及控制部,其构成为控制升降动作,从而在所述处理前交接平台位于所述升降机构的规定的下降位置且判断出处理前的基板已搬入的情况下,使所述处理前交接平台上升到规定的高度位置,在所述处理后交接平台位于所述规定的高度位置且判断出处理后的基板已搬入的情况下,使所述处理后交接平台下降到所述规定的下降位置。
通过这样构成,即使在相对于载体搬入搬出基板的位置与进行基板处理的高度位置不同的情况下,也能够准确且迅速地进行基板的交接。而且,通过分别设置处理前的基板的交接平台与处理后的基板的交接平台,能够抑制在处理后的基板上产生污垢的附着。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造