[实用新型]光伏组件有效
申请号: | 201921690031.9 | 申请日: | 2019-10-10 |
公开(公告)号: | CN210443578U | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 邓士锋;董经兵;许涛;邢国强 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/0224 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 张炜平 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 组件 | ||
本实用新型提供了一种光伏组件,其包括第一电池片以及与所述第一电池片相连的焊带,所述第一电池片具有供所述焊带引出的第一边缘,所述第一电池片的一表面于邻接所述第一边缘的位置处具有激光切割影响区,所述焊带连接至所述第一电池片背离所述激光切割影响区所在表面的另一表面;基于本实用新型所提供光伏组件的具体结构,可以有效避免第一电池片的激光切割影响区直接与焊带接触,进而在光伏组件层压成型过程中,可有效降低电池片发生裂片的概率,有效降低光伏组件的单瓦成本。
技术领域
本实用新型涉及光伏领域,尤其涉及一种光伏组件。
背景技术
随着电站投资商平价上网的压力越来越大,业内对度电成本的诉求越来越高。半片组件与同版型的常规组件相比,其功率具有较大幅度的提升,故半片组件在行业内受到越来越大的关注。在半片组件制作过程中,需要使用激光切割工艺在电池片的一表面沿着垂直于电池主栅的方向对标准规格电池片进行切割,进而形成半片电池片。通过焊带将激光切割得到半片电池片串连即可构成半片组件的电池串。
然目前制作半片组件存在以下问题:半片电池片由激光切割所形成的边缘往往构成焊带引出的边缘,半片电池片一表面与该边缘相邻接的部分由于在激光切割过程中直接与激光接触,其具有较大的脆性;在焊带自半片电池片边缘引出时,若焊带直接接触该具有较大脆性的区域,则在后续半片组件层压成型过程中较为容易造成相应电池片破裂,进而影响半片组件的功率。
有鉴于此,有必要提供一种有效的技术方案以解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术存在的技术问题之一,为实现上述实用新型目的,本实用新型提供了一种光伏组件,其具体设计方式如下。
一种光伏组件,包括第一电池片以及与所述第一电池片相连的焊带,所述第一电池片具有供所述焊带引出的第一边缘,所述第一电池片的一表面于邻接所述第一边缘的位置处具有激光切割影响区,所述焊带连接至所述第一电池片背离所述激光切割影响区所在表面的另一表面。
进一步,所述光伏组件还具有与所述焊带连接以与所述第一电池片形成串联的第二电池片,所述第二电池片具有靠近所述第一电池片的第二边缘,所述第一电池片的第一边缘所在侧和/或所述第二电池片的第二边缘所在侧设置有供所述焊带穿过的边孔。
进一步,所述边孔的侧壁具有绝缘层。
进一步,所述边孔呈矩形、半圆形或梯形。
进一步,所述第一电池片与所述第二电池片间隔设置,所述第一电池片与所述第二电池片之间的间隙宽度为0-3mm。
进一步,所述第一电池片与所述第二电池片交叠设置,所述第一电池片与所述第二电池片之间的交叠宽度为0-1mm。
本实用新型的有益效果是:基于本实用新型所提供光伏组件的具体结构,可以有效避免第一电池片的激光切割影响区直接与焊带接触,进而在光伏组件层压成型过程中,可有效降低电池片发生裂片的概率,有效降低光伏组件的单瓦成本。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1所示为本实用新型光伏组件的横截面示意图;
图2所示为本实用新型光伏组件第一种实施结构立体图;
图3所示为图2中a部分的放大示意图;
图4所示为电池母片的一种结构示意图;
图5所示为本实用新型光伏组件第二种实施结构立体图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司,未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的