[实用新型]漏电保护装置、电连接设备以及用电器有效

专利信息
申请号: 201921690901.2 申请日: 2019-10-10
公开(公告)号: CN210985636U 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 李成力;陈龙;聂胜云 申请(专利权)人: 苏州益而益电器制造有限公司
主分类号: H02H3/32 分类号: H02H3/32;H02H3/05
代理公司: 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 代理人: 杨胜军
地址: 215125 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 漏电 保护装置 连接 设备 以及 用电
【权利要求书】:

1.一种漏电保护装置,其特征在于,包括:

漏电检测模块,用于检测主干线路上的漏电流信号,进而输出漏电故障信号;

自检模块,用于周期性地生成模拟漏电流信号,当所述漏电检测模块发生故障时,所述自检模块输出自检故障信号;

脱扣模块,其包括:

开关(RESET),耦合在输入端与输出端之间;

第一线圈(SOL1),用于驱动所述开关以控制所述输入端与所述输出端之间的电力连接;

驱动模块,用于在所述漏电故障信号和/或所述自检故障信号的影响下,驱动所述脱扣模块以断开所述电力连接;

脱扣检测模块,配置为当检测到所述第一线圈产生断路时,生成线圈故障信号,以使得所述开关断开所述电力连接。

2.如权利要求1所述的漏电保护装置,其特征在于,所述脱扣检测模块包括:

第二线圈(SOL2);

第一半导体元件(Q3),其第一极耦合至所述主干线路,第二极耦合至所述第二线圈,控制极用于接收所述线圈故障信号,其中,所述第一半导体元件(Q3)响应于所述线圈故障信号以使得所述第二线圈驱动所述开关以断开所述电力连接。

3.如权利要求2所述的漏电保护装置,其特征在于,所述脱扣检测模块包括:

第二半导体元件(Q2),其控制极耦合至所述第一线圈,第一极耦合至所述第一半导体元件(Q3)的控制极以提供所述线圈故障信号,第二极耦合至地电位。

4.如权利要求3所述的漏电保护装置,其特征在于,所述第二半导体元件(Q2)的第一极通过第一二极管(D8)和/或第一电阻耦合至所述第一半导体元件(Q3)的控制极。

5.如权利要求3所述的漏电保护装置,其特征在于,所述驱动模块还包括:

第三半导体元件(Q1),其第一级耦合至所述第一线圈,第二极耦合到地电位,控制极用于接收于所述漏电故障信号和/或所述自检故障信号。

6.如权利要求5所述的漏电保护装置,其特征在于,所述脱扣检测模块还包括:

第四半导体元件(Q4),其第一极耦合至所述第二线圈,第二极耦合至地电位,控制极耦合至所述第二半导体元件(Q2)的第一极以接收所述线圈故障信号,

其中,所述第一线圈与所述第二线圈串联耦合,并且所述第一半导体元件(Q3)与所述第一线圈并联耦合。

7.如权利要求6所述的漏电保护装置,其特征在于,

所述第三半导体元件(Q1)的控制极经由第一滤波电路(R10、C11)接收所述漏电故障信号,并且通过第二滤波电路(R20、C12)耦合到所述第四半导体元件(Q4)的控制极,

所述第四半导体元件(Q4)的控制极还经由所述第二滤波电路接收所述自检故障信号和所述漏电故障信号,其中,所述第一滤波电路的时间特性大于所述第二滤波电路的时间特性。

8.如权利要求6所述的漏电保护装置,其特征在于,

所述第三半导体元件(Q1)的控制极通过第三二极管(D4)和/或第三电阻耦合到所述第四半导体元件(Q4)的控制极。

9.如权利要求6所述的漏电保护装置,其特征在于,所述第一至第四半导体元件中的任意一个选自于以下项:

可控硅、双极型晶体管、场效应晶体管、光电耦合元件以及继电器。

10.如权利要求1所述的漏电保护装置,其特征在于,

所述漏电检测模块包括漏电检测线圈(CT1)和第一处理器(U1),其中,所述第一处理器(U1)基于由所述漏电检测线圈(CT1)检测到的漏电流信号生成所述漏电故障信号;

所述自检模块包括第二处理器(U2)以周期性地生成所述模拟漏电流信号,并且当所述漏电检测模块发生故障时,所述第二处理器(U2)生成所述自检故障信号。

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