[实用新型]半导体结构有效

专利信息
申请号: 201921692293.9 申请日: 2019-10-10
公开(公告)号: CN210272337U 公开(公告)日: 2020-04-07
发明(设计)人: 章中杰 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/528;H01L21/768
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤;陈丽丽
地址: 230001 安徽省合肥市蜀山*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 半导体 结构
【权利要求书】:

1.一种半导体结构,其特征在于,包括:

基底;

第一导电结构,位于所述基底表面;

布线层,沿垂直于所述基底的方向嵌入所述基底与所述第一导电结构之间,且所述布线层沿平行于所述基底的方向延伸出所述第一导电结构;

第一插塞,沿垂直于所述基底的方向延伸,所述第一插塞的一端与所述布线层延伸出所述第一导电结构的端部电连接、另一端用于与外部电路连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述基底为衬底,所述第一导电结构包括沿第一方向间隔排列的多个焊盘;

所述布线层包括位于所述基底与所述焊盘之间的若干条布线,每一所述布线的端部沿所述第一方向延伸出所述焊盘,且每一所述布线延伸出所述焊盘的端部设置有至少一所述第一插塞,所述第一方向与所述基底平行。

3.根据权利要求2所述的半导体结构,其特征在于,每一条所述布线延伸出所述焊盘的端部设置有沿所述第一方向排列的多个所述第一插塞。

4.根据权利要求2所述的半导体结构,其特征在于,还包括:

连接层,沿垂直于所述基底的方向位于所述布线层上方且与多个所述焊盘同层设置,所述连接层的一端电连接位于一所述焊盘下方的至少一条布线端部的一所述第一插塞、另一端电连接另外至少一个所述焊盘。

5.根据权利要求4所述的半导体结构,其特征在于,所述连接层的一端电连接位于一焊盘下方的多条所述布线端部的所述第一插塞、另一端电连接另外的多个所述焊盘。

6.根据权利要求4所述的半导体结构,其特征在于,所述基底表面还具有用于向所述布线层传输测试电信号的测试结构;所述连接层包括:

第一连接线,一端用于电连接位于一所述焊盘下方的所述布线一端部的所述第一插塞、另一端用于电连接另一所述焊盘;

第二连接线,一端用于电连接所述测试结构、另一端用于电连接位于一所述焊盘下方的所述布线另一端部的所述第一插塞。

7.根据权利要求2所述的半导体结构,其特征在于,在沿第二方向上,所述焊盘在垂直于所述基底方向上的投影覆盖位于其下方的多条所述布线,所述第二方向与所述基底平行、且与所述第一方向垂直。

8.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述基底包括衬底和位于所述衬底表面的第二导电结构,所述第一导电结构位于所述第二导电结构上方;

所述布线层包括位于所述第一导电结构与所述第二导电结构之间的多条布线,每一所述布线的端部延伸出所述第一导电结构,且每一所述布线延伸出所述第一导电结构的端部设置有至少一所述第一插塞。

9.根据权利要求8所述的半导体结构,其特征在于,还包括:

多个第二插塞,所述第二插塞的一端电连接所述第二导电结构、另一端电连接所述第一导电结构;

每一条所述布线自相邻两个所述第二插塞之间的间隙穿过。

10.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述第一导电结构的材料为金属材料,所述布线层的材料为多晶硅材料或金属材料。

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