[实用新型]一种碳化硅二极管元胞结构

权利要求书

1.一种碳化硅二极管元胞结构，包括矩形元胞，矩形元胞包括P型注入区和n型区域，其特征在于，P型注入区包括中心P型注入区（1）和外侧P型注入区（3），n型区域包括无注入n型区域（2），其中：中心P型注入区（1）为圆形，其位于矩形元胞中的中心；无注入n型区域（2）为圆环或圆角矩形，其与中心P型注入区（1）同心，其内侧和外侧分别与中心P型注入区（1）和外侧P型注入区（3）相邻；外侧P型注入区（3）为矩形或圆角矩形，其位于矩形元胞中的外侧。

2.根据权利要求1所述的碳化硅二极管元胞结构，其特征在于，中心P型注入区（1）的半径为0.1um~100um。

3.根据权利要求1或2所述的碳化硅二极管元胞结构，其特征在于，无注入n型区域（2）为圆环，其外圆半径为0.1um~500um，其外圆半径＞其内圆半径。

4.根据权利要求1或2所述的碳化硅二极管元胞结构，其特征在于，注入n型区域（2）为圆角矩形，其矩形平行两边的距离为0.1um~500um，其矩形平行两边的距离＞中心P型注入区（1）的直径。

5.根据权利要求1或2所述的碳化硅二极管元胞结构，其特征在于，外侧P型注入区（3）的平行两边的距离为0.1um~1mm。

6.根据权利要求3所述的碳化硅二极管元胞结构，其特征在于，外侧P型注入区（3）的平行两边的距离为0.1um~1mm。

7.根据权利要求4所述的碳化硅二极管元胞结构，其特征在于，外侧P型注入区（3）的平行两边的距离为0.1um~1mm。