[实用新型]一种用于背光显示的倒装LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种用于背光显示的倒装LED芯片，所述芯片包括转移衬底、第一钝化层、第一反射层、外延层、第二反射层、第二钝化层、第一电极和第二电极，所述第一钝化层设置在转移衬底和第一反射层之间，以将转移衬底固定在第一反射层上，所述外延层设置在第一反射层上，所述第二反射层设置在外延层上，所述第二钝化层设置在第二反射层上，第一电极与第一反射层导电连接，第二电极与第二反射层导电连接，其中，所述外延层发出的光经过第一反射层和第二反射层反射后，从芯片的侧面出射。本实用新型的第一反射层和第二反射层设置在外延层的两侧，将外延层发出的光进行来回反射，增加侧面出光，得到更高的出光效率。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种用于背光显示的倒装LED芯片。

背景技术

倒装LED芯片是近几年新型态的LED，主要功能在于无封装制程，大幅节省生产效能，可应用在大电流上，更可以实现超微小mini型态的LED。

参见图1，传统的倒装LED芯片包括依次设于衬底10上的AlN层11、缓冲层12、外延层20、透明导电层30、反射层40、阻挡层50、钝化层60、第一电极71和第二电极72，传统倒装LED芯片的出光面为衬底一侧，现有的衬底一般为蓝宝石衬底，外延层材料为氮化镓材料，为了减少蓝宝石衬底和外延层之间的晶格失配，在形成外延层之前，需要在蓝宝石衬底上形成AlN层、缓冲层等结构，上述结构统称为大量体材料，这些大量体材料会吸收外延层发出的光，从而降低芯片的出光效率。

此外，现有的LED背光显示器，由多颗倒装LED芯片拼接而成，由于倒装LED芯片的出光面集中在衬底一侧出射，应用于背光显示的倒装LED芯片，背光显示器若要出光均匀，相邻LED芯片之间的距离要足够小，这就需要大量的倒装LED芯片来进行组装，成本较高。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种用于背光显示的倒装LED芯片，芯片出光效率高。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种用于背光显示的倒装LED芯片，包括：转移衬底、第一钝化层、第一反射层、外延层、第二反射层、第二钝化层、第一电极和第二电极，所述第一钝化层设置在转移衬底和第一反射层之间，以将转移衬底固定在第一反射层上，所述外延层设置在第一反射层上，所述第二反射层设置在外延层上，所述第二钝化层设置在第二反射层上，第一电极和第二电极贯穿第二钝化层，第一电极与第一反射层导电连接，第二电极与第二反射层导电连接，其中，所述外延层发出的光经过第一反射层和第二反射层反射后，从芯片的侧面出射。

作为上述方案的改进，还包括透明导电层，所述透明导电层设置在第一反射层和外延层之间；

所述外延层包括依次设置的N-GaN层、MQW层和P-GaN层，所述N-GaN层设置在MQW层和第二反射层之间，所述P-GaN层设置在MQW层和透明导电层之间。

作为上述方案的改进，所述第一反射层包括第一金属反射层和第一阻挡层，所述第二反射层包括第二金属反射层和第二阻挡层，所述第一阻挡层设置在第一金属反射层和第一钝化层之间，所述第二阻挡层设置在第二金属反射层和第二钝化层之间。

作为上述方案的改进，所述第一金属反射层和第二金属反射层均设有图形化结构，用于调整芯片的出光角度和出光形状。

作为上述方案的改进，所述第一金属反射层和第二金属反射层均由Ag或Al制成，厚度为1000～3000埃。

作为上述方案的改进，所述第一钝化层由SiO₂或Al₂O₃制成，厚度为4000～8000埃。

作为上述方案的改进，所述第二钝化层由SiO₂、Al₂O₃或SiNx制成，厚度为6000～10000埃。