[实用新型]一种I2

说明书

一种I²C铁电存储器，涉及存储设备领域，包括高可靠铁电存储器芯片、键合丝、金属陶瓷封装外壳，所述的金属陶瓷封装外壳是中空的，高可靠铁电存储器芯片粘接在金属陶瓷封装外壳内，容量为1Mbit，高可靠铁电存储器芯片通过键合丝与金属陶瓷封装外壳的外引线相连，金属陶瓷封装外壳可耐温度范围‑55℃～125℃，单电源供电；频率最高可达1MHz；读写耐力十万亿次/字节；具有非易失性存储器掉电数据不丢失的特点；金属陶瓷封装外壳，适用温度范围‑55℃～125℃。

技术领域

本实用新型披露了一种I²C铁电存储器，涉及存储设备领域。

背景技术

铁电存储器是集合了随机存取存储器和非易失性存储器两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力。与随机存取存储器相比，铁电存储器不需要检测其电池状态，且掉电后数据不丢失。与传统的非易失性存储器相比，铁电存储器具有更快的写入、更高的耐久力。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种I²C铁电存储器，具有稳定性强，适应性广的优点。

本实用新型的上述实用新型目的是通过以下技术方案得以实现的：一种I²C铁电存储器，包括高可靠铁电存储器芯片、键合丝、金属陶瓷封装外壳，所述的金属陶瓷封装外壳是中空的，高可靠铁电存储器芯片粘接在金属陶瓷封装外壳内，容量为1Mbit，高可靠铁电存储器芯片通过键合丝与金属陶瓷封装外壳的外引线相连，金属陶瓷封装外壳可耐温度范围-55℃～ 125℃，单电源供电；频率最高可达1MHz；读写耐力十万亿次/字节；具有非易失性存储器掉电数据不丢失的特点；金属陶瓷封装外壳，适用温度范围-55℃～125℃。

通过采用上述技术方案，频率最高可达1MHz；读写耐力十万亿次/字节；具有非易失性存储器掉电数据不丢失的特点；CSOP8线金属陶瓷封装外壳，温度范围-55℃～125℃，具有非易失性存储器掉电数据不丢失的特点，金属陶瓷封装外壳，适用温度范围-55℃～125℃，温度适应性好，单电源供电；频率最高可达1MHz；读写耐力十万亿次/字节，处理效率高，整体封装结构紧凑，稳定性强。

本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为：1支所述高可靠铁电存储器芯片和1支所述金属陶瓷封装外壳由8根所述键合丝相连。

通过采用上述技术方案，连接稳固，用料节省，键合丝布局合理。

本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为：单电源1.8V～3.6V电压供电电压为 1.8V～3.6V；频率可达1MHz；读写耐力十万亿次/字节。

通过采用上述技术方案，电压适应性好，读写速度快。

本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为：所述高可靠铁电存储器芯片内设有非易失性存储单元，将电压擦除发生器、命令寄存器、编程电压发生器、输入/输出缓冲器、数据锁存器、计时器电路等集成进所述高可靠铁电存储器芯片中，并设立A1、A2两个地址引出端，建立000、001、010、011四种总线接口码。

通过采用上述技术方案，集成度高，且稳定性强，设置000、001、010、011四种总线接口码，适应性好。

本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为：键合丝材质为AU，键合丝直径为：25um。

通过采用上述技术方案，AU导电性强，结构稳定。

本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为：金属陶瓷封装外壳中，高可靠铁电存储器芯片粘接在芯片粘接区，且芯片粘接区独立；金属陶瓷封装外壳外引线电阻小于1欧姆。