[实用新型]一种耐高压LED驱动芯片以及连接结构

权利要求书

1.一种耐高压LED驱动芯片，芯片内部包括钳位模块，其特征在于，

芯片内部还设有电阻RIN和电容CIN，其中，钳位模块通过所述电阻RIN接LED驱动芯片的VDD管脚,电阻RIN与LED驱动芯片的VDD管脚的中间节点通过所述电容CIN接LED驱动芯片的GND管脚。

2.根据权利要求1所述耐高压LED驱动芯片，其特征在于，

所述钳位模块包括NMOS管NMOS1和比较器；

比较器的正向输入端通过分压电阻接所述LED驱动芯片的VDD管脚，比较器的正向输入端还通过电阻R4接所述LED驱动芯片的GND管脚，比较器的反向输入端接参考电压，比较器的输出端接所述NMOS管NMOS1的栅极，NMOS管NMOS1的漏极接所述LED驱动芯片的VDD管脚，NMOS管NMOS1的源极接所述LED驱动芯片的GND管脚。

3.根据权利要求2所述耐高压LED驱动芯片，其特征在于，

所述分压电阻由电阻R1、电阻R2和电阻R3串联得到。

4.根据权利要求1所述耐高压LED驱动芯片，其特征在于，

所述电阻RIN为芯片内置电阻。

5.根据权利要求1所述耐高压LED驱动芯片，其特征在于，

所述电容CIN为芯片内置电容。

6.一种耐高压LED驱动芯片的连接结构，其特征在于，包括一个权利要求1-5中任一权利要求所述耐高压LED驱动芯片和至少一个LED灯；

所述耐高压LED驱动芯片的VDD管脚接高压电源，所述LED灯分别接至耐高压LED驱动芯片的驱动管脚。

7.根据权利要求6所述耐高压LED驱动芯片的连接结构，其特征在于，

所述高压电源为5～24V电源。

8.一种耐高压LED驱动芯片的连接结构，其特征在于，包括多个权利要求1-5中任一权利要求所述耐高压LED驱动芯片和至少一个LED灯；

所有耐高压LED驱动芯片依次串联，且所述耐高压LED驱动芯片的VDD管脚均接高压电源，所述LED灯分别接至耐高压LED驱动芯片的驱动管脚。

9.根据权利要求8所述耐高压LED驱动芯片的连接结构，其特征在于，

所述高压电源为5～24V电源。