[实用新型]一种高纯正硅酸乙酯提纯装置

说明书

本实用新型公开了一种高纯正硅酸乙酯提纯装置，包括蒸发塔、再沸器和冷凝器；蒸发塔上设置有进料口、送料口、回料口、出料口和冷凝回流口；再沸器上设置有送料入口、回料出口、蒸汽入口和蒸汽出口；冷凝器上设置有气体物料入口、成品出口、循环水入口和循环水出口；送料口经管路连接到送料入口，回料口经管路连接到回料出口，出料口经管路连接到气体物料入口，成品出口设置有第一成品管路和第二成品管路。本实用新型可以实现工艺简单化，只需要增加类似精馏塔装置的蒸发塔即可实现纯度的进一步提升，不但能节省成本，降低能耗，而且能起到精馏塔精馏的效果，在后续的生产操作中也是极为方便。

技术领域

本实用新型属于物质提纯技术领域，具体涉及一种高纯正硅酸乙酯提纯装置。

背景技术

半导体工艺中用到高纯正硅酸乙酯做为氧化层材料，其作用是在低压化学气相淀积(LPCVD)中通过高温在硅片表面淀积生成二氧化硅薄膜。随着纳米技术的提高，为提高半导体器件的电性能和成品率，同时避免为获得一定厚度氧化层长时间高温氧化的不足，对正硅酸乙酯纯度的要求越来越高，目前要达到4N及4N5以上纯度的还需要一定的研究和技术探索,特别是对于金属离子的纯度要达到9N级以上。

目前正硅酸乙酯纯化基本上要靠精馏提纯才能达到更高纯度，这种提纯装置具有节能的特点。另外一种则为亚沸精馏，但是能耗较大。这两种方式都能将正硅酸乙酯纯度提纯到4N左右，但是想要进一步提高纯度将会面临巨大的挑战，是否要继续增加塔的个数还是更改工艺方法都要考虑到多个方面。特别是金属填料的接触无法避免金属离子的污染，因此后期对金属离子的去除也有着很大的弊端。

上述现有技术的缺点是：1、工艺流程复杂，想要进一步提高物料纯度还需要增加精馏设备或者更改新型工艺流程，对投资和能耗都有所增加，并且后续生产操作起来比较麻烦，为达到4N5纯度可能需要5塔甚至更多的精馏塔去精馏提纯；2、金属离子的去除存在污染的可能性，金属离子想达到9N级有难度，金属填料塔是个污染源。

发明内容

本实用新型的发明目的是提供一种高纯正硅酸乙酯提纯装置，可以实现工艺简单化，只需要增加类似精馏塔装置的蒸发塔即可实现纯度的进一步提升，不但能节省成本，降低能耗，而且能起到精馏塔精馏的效果，在后续的生产操作中也是极为方便。

为达到上述发明目的，本实用新型采用的技术方案是：一种高纯正硅酸乙酯提纯装置，包括蒸发塔、再沸器和冷凝器；

所述蒸发塔的中下部设置有进料口和送料口，所述进料口和送料口位于蒸发塔的两个侧面上，所述蒸发塔上位于送料口的上方设置有回料口，所述蒸发塔内从回料口到塔顶的路径上设置有填料，所述蒸发塔塔顶的顶部设置有出料口，所述蒸发塔塔顶的侧面上设置有冷凝回流口；

所述再沸器上设置有送料入口、回料出口、蒸汽入口和蒸汽出口，所述送料入口位于再沸器的底部侧面上，所述回料出口位于再沸器的顶部，所述蒸汽入口和蒸汽出口位于再沸器的侧面上并且所述蒸汽入口位于蒸汽出口的上方；

所述冷凝器上设置有气体物料入口、成品出口、循环水入口和循环水出口，所述气体物料入口和循环水出口位于冷凝器的顶部，所述成品出口和循环水入口位于冷凝器的底部；

所述送料口经管路连接到送料入口，所述回料口经管路连接到回料出口，所述出料口经管路连接到气体物料入口，所述成品出口设置有第一成品管路和第二成品管路，所述第一成品管路用于连接成品出口与冷凝回流口，所述第二成本管路用于成品出料。

上述技术方案中，所述蒸发塔内的工作压力为49KPa～51KPa，温度为149～151℃。优选地，所述蒸发塔内的工作压力为50KPa，温度为150℃。

上述技术方案中，所述蒸发塔的内表面喷涂有聚四氟乙烯涂层。

上述技术方案中，所述填料选用聚四氟乙烯填料，所述填料的高度为1350～1450mm。优选地，所述填料的高度为1400mm。