[实用新型]一种大尺寸晶体生长装置

权利要求书

1.一种大尺寸晶体生长装置，其特征在于，其由内向外依次包括：晶体生长室、第一石英管、感应线圈、第二石英管，晶体生长室用于生长大尺寸晶体，感应线圈呈螺旋状缠绕设置于第一石英管外侧，感应线圈的匝间距为0-6mm，感应线圈设置在旋转机构上，旋转机构控制感应线圈转动。

2.根据权利要求1所述的大尺寸晶体生长装置，其特征在于，线圈高度与线圈直径的比值为1.2～3。

3.根据权利要求1所述的大尺寸晶体生长装置，其特征在于，所述第一石英管和第二石英管内均流通循环冷却水。

4.根据权利要求1所述的大尺寸晶体生长装置，其特征在于，所述感应线圈的轴截面为橄榄形或哑铃型。

5.根据权利要求4所述的大尺寸晶体生长装置，其特征在于，线圈的最大直径与其最小直径差不大于第一、第二石英管间的水平距离。

6.根据权利要求1所述的大尺寸晶体生长装置，其特征在于，所述感应线圈的电源电流大小由电流控制组件控制，电流控制组件包括滑动触头、接触环、中频电源，感应线圈的两端分别通过滑动触头和接触环与中频电源连接，电流控制组件由控制系统控制。

7.根据权利要求1所述的大尺寸晶体生长装置，其特征在于，所述旋转机构包括用于控制感应线圈绕第一石英管旋转的电机。

8.根据权利要求7所述的大尺寸晶体生长装置，其特征在于，所述感应线圈的两端插接在绝缘圆盘上，绝缘圆盘与电机的旋转轴连接，电机由控制系统控制。

9.根据权利要求1所述的大尺寸晶体生长装置，其特征在于，所述晶体生长室位于感应线圈的中心。

10.根据权利要求1所述的大尺寸晶体生长装置，其特征在于，所述晶体生长室为石墨坩埚。