[实用新型]一种N型单晶异质结太阳能电池薄膜沉积装备

说明书

本实用新型公开了一种N型单晶异质结太阳能电池薄膜沉积装备，它包括：沉积组件，所述沉积组件包括依次连接的第一L/L腔室、第一本征I层沉积腔室、P型掺杂非晶硅薄膜沉积腔室、第一转换腔室、第二本征I层沉积腔室、N型掺杂非晶硅薄膜沉积腔室、第二转换腔室、PVD腔室以及第二L/L腔室，各腔体之间采用真空锁结构连接；输料组件，所述输料组件用于硅片的进料和出料，包括安装在所述沉积组件两端以及其各腔体内的输料单元。通过在沉积组件的两端以及其各腔体内安装输料单元，能够实现硅片的自动化进料和出料，从而提高了其自动化程度和生产效率。

技术领域

本实用新型属于气相沉积装备领域，涉及一种薄膜沉积装备，具体涉及一种N型单晶异质结太阳能电池薄膜沉积装备。

背景技术

HIT太阳能电池是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池，它是采用HIT结构的硅太阳能电池；所谓HIT(Hetero-junction with IntrinsicThinlayer)结构就是在P型氢化非晶硅和N型氢化非晶硅与N型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改变了PN结的性能。

非晶薄膜的制备成为HIT太阳能电池最关键的工艺步骤，但是HIT电池非晶薄膜的制备与传统的非晶薄膜太阳能电池相比较具有较高难度，理由如下：(1)HIT太阳能电池非晶制备薄膜厚度比较薄，I层厚度为4～8nm，N层厚度为5nm～8nm，P层厚度约为4～8nm；(2)在工业化生产中，要求快速沉积非晶薄膜层，同时要求薄膜的均匀性要求要高，均匀性优于6nm±3％，这对制备非晶薄膜层的设备PECVD要求非常高，不但要求设备的射频电场设计科学合理，在大面积电容耦合射频场中，电场均匀性达到±1％。对VHF电源要求也极其苛刻，在0.5S内建立稳定的等离子体场，等离子体浓度达到要求的同时，辉光稳定。如果能够设计新颖的非晶硅薄膜沉积装备在能代替上述的PECVD设备的同时可以降低对部件的要求并有效提高沉积效率，显然具有现实的意义。

申请号为201821326561.0的中国实用新型公开了一种太阳电池制造用立式HWCVD-PVD一体化设备，它包括本征非晶硅薄膜沉积的HWCVD腔体I、掺杂非晶硅薄膜沉积的HWCVD腔体I、过渡腔体I、本征非晶硅薄膜沉积的HWCVD腔体II、掺杂非晶硅薄膜沉积的HWCVD腔体II、过渡腔体II、TCO薄膜沉积的PVD腔体等，各腔体之间依次采用真空锁结构连接；所用载板采用双载板设计，在装载硅片的位置采用镂空设计。该实用新型中公开了可使晶体硅异质结太阳电池两面非晶硅和TCO沉积的全过程封闭，减少了氧化和污染；然而该专利并未公开双载板位置对调的具体结构，也未公开自动上、下料的结构，不能满足日益提高的HIT太阳能电池非晶薄膜制备的市场要求。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的是提供一种N型单晶异质结太阳能电池薄膜沉积装备。

为达到上述目的，本实用新型取样的技术方案是：一种N型单晶异质结太阳能电池薄膜沉积装备，它包括：

沉积组件，所述沉积组件包括依次连接的第一L/L腔室、第一本征I层沉积腔室、P型掺杂非晶硅薄膜沉积腔室、第一转换腔室、第二本征I层沉积腔室、N型掺杂非晶硅薄膜沉积腔室、第二转换腔室、PVD腔室以及第二L/L腔室，各腔体之间采用真空锁结构连接；

输料组件，所述输料组件用于硅片的进料和出料，包括安装在所述沉积组件两端以及其各腔体内的输料单元。

优化地，它还包括支撑架体以及安装在所述支撑架体下方的电控箱体，所述沉积组件安装在所述支撑架体上。

优化地，所述P型掺杂非晶硅薄膜沉积腔室和所述N型掺杂非晶硅薄膜沉积腔室内相互独立地安装有至少一组用于进行CVD沉积的热丝，所述输料单元包括可移动地设置在所述热丝两侧用于承载硅片的两列托盘。