[实用新型]一种新型降低正向残压的单向保护器件

权利要求书

1.一种新型降低正向残压的单向保护器件，其特征在于，包括N型衬底硅片(301)，在N型衬底片正面有推结较深的P型扩散区(302)和推结较深的N型扩散区(305)，在推结较深的P型扩散区(302)有推结较浅的N型杂质扩散区(304)和P型杂质扩散区(303)，推结较深的N型扩散区(305)通过金属与P型杂质扩散区(303)相连，推结较浅的N型杂质扩散区(304)通过氧化层开孔蒸发金属作为整个器件阴极引出；器件背面有推结较深的N型扩散区(309)和推结较浅的P型杂质扩散区(307)，两个扩区通过金属相连形成器件阳极引出。

2.根据权利要求1所述的新型降低正向残压的单向保护器件，其特征在于，所述N型衬底硅片(301)电阻率为0.01～10Ω·CM，厚度180-220um，在衬底上采用台面工艺进行双面扩散。

3.根据权利要求1所述的新型降低正向残压的单向保护器件，其特征在于，所述推结较深的P型扩散区(302)结深大于P型杂质扩散区(303)，推结较深的P型扩散区(302)采用长时间退火，结深范围为15-30μm。

4.根据权利要求1所述的新型降低正向残压的单向保护器件，其特征在于，所述推结较浅的N型杂质扩散区(304)和P型杂质扩散区(303)，其结深范围为2-5μm。

5.根据权利要求1所述的新型降低正向残压的单向保护器件，其特征在于，所述推结较深的N型杂质扩散区(309)与推结较深的N型扩散区(305)、推结较浅的N型杂质扩散区(304)采用相同工艺；所述推结较深的N型杂质扩散区(309)与推结较深的N型扩散区(305)采用长时间高温退火，结深范围为20-35μm。

6.根据权利要求1所述的新型降低正向残压的单向保护器件，其特征在于，所述正面阴极电极和互连金属材质为Al，采用蒸发工艺形成；背面阳极电极材质为Ti-Ni-Ag，采用蒸发工艺形成。

7.根据权利要求1所述的新型降低正向残压的单向保护器件，其特征在于，内部集成了PNPN结构器件，由所述推结较浅的P型杂质扩散区(307)、N型衬底硅片(301)、推结较深的P型扩散区(302)、N型扩散区(304)构成；并且推结较浅的P型杂质扩散区(307)、N型衬底硅片(301)通过背面金属相连，形成阳极短路的PNPN结构。

8.根据权利要求7所述的新型降低正向残压的单向保护器件，其特征在于，所述PNPN结构的门极，即推结较深的P型扩散区(302)，通过金属与N型衬底区相连。

9.根据权利要求1所述的新型降低正向残压的单向保护器件，其特征在于，内部集成了PN结构器件D1，由所述推结较深的P型扩散区(302)、推结较浅的N型杂质扩散区(304)构成；从背面到正面看，推结较深的N型扩散区(309)、N型衬底硅片(301)、推结较深的N型扩散区(305)形成电阻R2，与PN结串联后到达背面阴极。