[实用新型]可快速物理销毁的安全移动存储装置及销毁电路有效
申请号: | 201921725838.1 | 申请日: | 2019-10-15 |
公开(公告)号: | CN210836095U | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 刘超;焦斌 | 申请(专利权)人: | 湖南君瀚信息技术有限公司 |
主分类号: | G06F21/79 | 分类号: | G06F21/79 |
代理公司: | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人: | 邱轶 |
地址: | 410000 湖南省长沙市岳麓区*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 快速 物理 销毁 安全 移动 存储 装置 电路 | ||
1.一种可快速物理销毁电路,包括存储模块、数据处理器、GSM通信模块、定位模块以及电源模块,所述存储模块由NAND Flash芯片和主控芯片组成;所述电源模块与存储模块、数据处理器、GSM通信模块以及定位模块连接;电源模块连接外部电源,为系统中各个模块供电;所述数据处理器分别与存储模块、GSM通信模块、定位模块以及电源模块电性连接;所述GSM通信模块通过天线接口与客户终端通信连接;其特征在于,还包括销毁主控芯片、若干电阻、电容以及MOS管,销毁主控芯片采用单片机STC15F101W,数据处理器通过一个二极管D11连接单片机STC15F101W的P3.5接口;单片机STC15F101W的VCC接口接电源;单片机STC15F101W的GND接口接地;单片机STC15F101W的P3.1接口连接MOS管Q1的基极,MOS管Q1的集电极连接存储模块的NAND Flash芯片;电阻R585、电容C271的一端均连接MOS管Q1的基极,电阻R585、电容C271的另一端均连接MOS管Q1的发射极,MOS管Q1的发射极接地;单片机STC15F101W的P3.3接口通过R576连接存储模块的主控芯片。
2.根据权利要求1所述的可快速物理销毁电路,其特征在于,所述单片机STC15F101W的P3.2接口与P3.4接口作为一个指示接口,连接的是一个指示灯。
3.根据权利要求1或2所述的可快速物理销毁电路,其特征在于,所述定位模块采用多模定位模块。
4.根据权利要求3所述的可快速物理销毁电路,其特征在于,所述多模定位模块采用天工测控的SKG09DU的多模定位系统多频率高性能GNSS模块,用于获取安全移动存储装置的实时位置信息。
5.根据权利要求1所述的可快速物理销毁电路,其特征在于,还包括内部独立电源,内部独立电源在电源模块与外部电源断开的时候与GSM通信模块、存储模块、销毁主控芯片以及定位模块电性连接,为各模块供电。
6.根据权利要求1所述的可快速物理销毁电路,其特征在于,存储模块的主控芯片采用ASIC芯片或FPGA芯片。
7.根据权利要求1所述的可快速物理销毁电路,其特征在于,存储模块的主控芯片采用SMI 2246EN或xilinx K7/V7系列可编程逻辑器件。
8.根据权利要求1所述的可快速物理销毁电路,其特征在于,GSM通信模块采用上海移远通信技术有限公司的M26模块。
9.一种可快速物理销毁的安全移动存储装置,其特征在于,包括如权利要求1-8中任意一项权利要求所述的可快速物理销毁电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南君瀚信息技术有限公司,未经湖南君瀚信息技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921725838.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种适用于观光休闲的桥梁
- 下一篇:一种悬吊安装式LED显示屏