[实用新型]一种大功率半导体芯片有效

专利信息
申请号: 201921726136.5 申请日: 2019-10-15
公开(公告)号: CN210925982U 公开(公告)日: 2020-07-03
发明(设计)人: 黄磊;孙志斌;宣雷 申请(专利权)人: 上海智晶半导体科技有限公司
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L23/367
代理公司: 合肥律众知识产权代理有限公司 34147 代理人: 赵娟
地址: 201203 上海市浦东新区中国*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 大功率 半导体 芯片
【说明书】:

实用新型属于半导体技术领域,具体涉及一种大功率半导体芯片。本实用新型公开了一种大功率半导体芯片,包括芯片主体,所述芯片主体的上侧连接有两组散热鳍片组,所述芯片主体的中间位置设有型号标识槽,所述芯片主体的左右两侧均设有若干针脚,所述芯片主体匹配连接有针脚保护套,所述针脚保护套设有与芯片主体相匹配的橡胶套,所述针脚保护套内设有若干与针脚相对应的左右导向槽,所述左右导向槽内侧设有上下导向槽,所述上下导向槽内侧设有固定限位槽。它能够更好的进行散热;可以在运输的过程中对针脚进行保护,防止其变形;针脚保护套内左右导向槽、上下导向槽和固定限位槽的配合设计,可以使得变形的针脚能够进行调整回来,能够继续使用。

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域,具体涉及一种大功率半导体芯片。

背景技术

大功率半导体芯片是半导体芯片的一种,半导体芯片指的是在半导体片材上进行浸蚀,布线,制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片,常见的还包括砷化镓,锗等半导体材料。传统上,存在公知的半导体芯片,该半导体芯片具有芯片外围上的输入/输出端子作为用于在芯片内部和外部之间交换信号的接口(I/F)。输入/输出端子内部包括具有静电放电(ESD)保护电路的I/O环,静电放电保护电路提供对静电放电的保护。在I/O环内,设置有具有各种处理功能的核心电路。利用该I/O环的存在,就有可能确保低阻抗电流路径作为ESD 电流的路径,以避免包含在内核电路中的元件的损坏,即使在端子两端施加高电压的情况下也是如此。随着科技的发展,半导体芯片的运用也越来越广泛,但是现在所使用的半导体芯片其散热效果不佳,并且在运输或者安装的过程中针脚容易变形,导致使用效果不佳,更有甚者导致芯片报废。

实用新型内容

针对上述背景技术所提出的问题,本实用新型的目的是:旨在提供一种大功率半导体芯片。

为实现上述技术目的,本实用新型采用的技术方案如下:

一种大功率半导体芯片,包括芯片主体,所述芯片主体的上侧连接有两组散热鳍片组,所述芯片主体的中间位置设有型号标识槽,所述芯片主体的左右两侧均设有若干针脚,所述芯片主体匹配连接有针脚保护套,所述针脚保护套设有与芯片主体相匹配的橡胶套,所述针脚保护套内设有若干与针脚相对应的左右导向槽,所述左右导向槽内侧设有上下导向槽,所述上下导向槽内侧设有固定限位槽。

进一步限定,所述芯片主体上侧设有防呆缺口。

进一步限定,所述针脚的端头设有导向结构。

进一步限定,所述针脚均匀分布。

进一步限定,所述散热鳍片组包括若干均匀分布的散热鳍片。

采用本实用新型技术方案,

1、通过散热鳍片组的设计,能够更好的对大功率半导体芯片进行散热;

2、针脚保护套的设计,可以在运输的过程中对针脚进行保护,防止其变形;

3、针脚保护套内左右导向槽、上下导向槽和固定限位槽的配合设计,可以使得变形的针脚能够进行调整回来,能够继续使用。

附图说明

本实用新型可以通过附图给出的非限定性实施例进一步说明;

图1为本实用新型一种大功率半导体芯片实施例的结构示意图;

图2为本实用新型一种大功率半导体芯片实施例中芯片主体的结构示意图;

图3为本实用新型一种大功率半导体芯片实施例中针脚保护套的结构示意图;

图4为本实用新型一种大功率半导体芯片实施例的剖面结构示意图;

主要元件符号说明如下:

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